0.8~3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型全通网络(APN)拓扑结构。通过在APN两侧增加串联电容,在两级APN之间增加高通网络(HPN)及简化APN结构实现了芯片的高移相精度和小型化。移相器驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明:在0.8~3.2 GHz频率范围内插入损耗小于18 dB,移相态的均方根(RMS)相位误差小于4.5°,移相寄生调幅小于±1 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.7,输出VSWR小于1.9。芯片尺寸为5.0 mm×2.0 mm×0.1 mm。