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双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管
1
作者
罗恩银
杨正淮
赵新民
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期44-50,共7页
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2~3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯...
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2~3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯的最大光输出功率大于10mW。激光器组件由半导体致冷器,热敏电阻和 PIN 探测器组成,采用了标准的14针双列直插式管壳,实现了激光器组件的全金属化耦合封装,漏气率小于5×10^(-3)Pa·cm^2/s,尾纤输出功率典型值为1mW。
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关键词
激光二极管
全金属化耦合
封装
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职称材料
题名
双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管
1
作者
罗恩银
杨正淮
赵新民
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期44-50,共7页
文摘
叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2~3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯的最大光输出功率大于10mW。激光器组件由半导体致冷器,热敏电阻和 PIN 探测器组成,采用了标准的14针双列直插式管壳,实现了激光器组件的全金属化耦合封装,漏气率小于5×10^(-3)Pa·cm^2/s,尾纤输出功率典型值为1mW。
关键词
激光二极管
全金属化耦合
封装
Keywords
LD
Double Current Confinement Structure
Single Mode Fully-Metallized Coupling Package
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管
罗恩银
杨正淮
赵新民
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992
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