介绍了基于砷化镓(GaAs)伪形态高电子迁移率晶体管(pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,输出信号为W波段的八倍频放大芯片的设计方法。通过合理划分电路方案,将倍频器方案设计为输入频率经过四倍频器在Q...介绍了基于砷化镓(GaAs)伪形态高电子迁移率晶体管(pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,输出信号为W波段的八倍频放大芯片的设计方法。通过合理划分电路方案,将倍频器方案设计为输入频率经过四倍频器在Q波段进行放大,最后通过二倍频输出W波段信号。基于上述方案,设计了一款输入频率为10.8~11.5 GHz、输出频率为86.4~92 GHz的八倍频多功能芯片。芯片通过探针台在片测试,在工作频带内七次谐波抑制均优于15 dBc,九次谐波抑制均优于20 dBc,输出功率大于0 dBm。展开更多
文摘介绍了基于砷化镓(GaAs)伪形态高电子迁移率晶体管(pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,输出信号为W波段的八倍频放大芯片的设计方法。通过合理划分电路方案,将倍频器方案设计为输入频率经过四倍频器在Q波段进行放大,最后通过二倍频输出W波段信号。基于上述方案,设计了一款输入频率为10.8~11.5 GHz、输出频率为86.4~92 GHz的八倍频多功能芯片。芯片通过探针台在片测试,在工作频带内七次谐波抑制均优于15 dBc,九次谐波抑制均优于20 dBc,输出功率大于0 dBm。