期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性
1
作者
杨国强
肖沙里
+3 位作者
马跃东
张流强
曹玉琳
陈宇晓
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期267-271,共5页
使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器。通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应。结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消...
使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器。通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应。结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除"空穴拖尾",能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差。在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662keV的137Cs放射源的最佳能量分辨率3.80%和峰谷比5.65。适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性。过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化。在像素宽度为0.8mm时最佳偏压为-60V。
展开更多
关键词
CDZNTE
半导体探测器
公共格栅像素结构
小
像素
效应
能量分辨率
下载PDF
职称材料
题名
公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性
1
作者
杨国强
肖沙里
马跃东
张流强
曹玉琳
陈宇晓
机构
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期267-271,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61274048)
国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金项目(10876044)
文摘
使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器。通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应。结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除"空穴拖尾",能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差。在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662keV的137Cs放射源的最佳能量分辨率3.80%和峰谷比5.65。适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性。过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化。在像素宽度为0.8mm时最佳偏压为-60V。
关键词
CDZNTE
半导体探测器
公共格栅像素结构
小
像素
效应
能量分辨率
Keywords
CdZnTe semiconductor detector common grid pixelated structure small pixel effect energy resolution
分类号
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性
杨国强
肖沙里
马跃东
张流强
曹玉琳
陈宇晓
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部