基于混合频率激励的新型公共电极式电容触觉传感阵列设计（英文）

设计了一种基于混合频率激励的三自由度柔性电容触觉传感阵列。每个传感单元中由传感电极层上的四片传感电极和公共电极层上的一片公共电极构成4个电容传感子单元,当4个电容传感子单元按正方形排列时,所测得的接触力将被分解为一组正向压力和两组剪切力分量。信号采样采用混合频率激励的方法替代单频激励,四片传感电极分为激励端和输出端,激励端加载频率分别为f_1和f_2的两组电压信号U_(i1)和U_(i2),输出端的两组信号通过带通滤波器可提取4组谐波分量,从而实现4个电容传感子单元的电容量测量。该方法简化了信号采样机构,有效实现多维触觉信息的同步检测与分离。每个传感单元在z轴方向的正向压力测试灵敏度为0.17%/mN,x-y轴方向的灵敏度为0.43%/mN。结果表明该触觉传感阵列是一种有价值的可实现低成本触觉传感的新型测量装置。

铜工艺阵列基板上数据线和公共电极不可见的短路原因分析及改善

本文针对铜工艺TFT-LCD制作过程中遇到的不可见的数据信号线和公共电极信号线短路(DCS),提出切割实验方案,精确定位不可见类型的DCS异常的实际位置。基于数据和失效模式分析结果,设计不同灰化工艺时间膜层形貌观察实验,探究发生机理。本文产出的异常发生机理是灰化过程中反应气体SF6残留在“屋檐状”光刻胶下方对公共电极Cu金属造成腐蚀,在产线湿度高的情况下易加剧腐蚀,腐蚀产物向上生长,后续栅极绝缘层/活性层镀膜无法完全覆盖住腐蚀产物,造成源、漏(Source&Drain,SD)层镀膜后数据线与腐蚀产物相连接,最终形成TFT基板膜层正面不可见的DCS异常。依据以上调查结果进行灰化工艺SF6气体用量、产线相对湿度(RH)、灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和设计相关的改善验证,最终通过量产导入灰化工艺SF6气体用量降低、产线相对湿度(RH)降低、缩短灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和优化异常发生区域开槽设计以增大间距H等改善措施,大幅减少了不可见类型的DCS异常。

TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究

为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。

双拍双存储伪并行LCoS微显示器交流驱动的研究

双拍双存储式驱动的LCoS微显示器引入了一些新的问题,对此提出了应用于双拍双存储式驱动的LCoS微显示器的新的交流驱动方式,通过互补驱动信号电压和浮动公共电极电压相结合的方法,不但满足了LCoS的要求,而且降低了工作电压。

基于使用负性液晶的边沿场切换模式的局部残影分析

随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻微区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom)等,发现影像残留严重区域与轻微区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。

应用扩展型ALIS技术的高性能55英寸（对角）WXGA PDP

我们通过应用扩展型ALIS（交替发光表面）技术开发了一种结构新颖的高性能55英寸（对角）WXGAPDP组件。发明了采用公共电极概念的新型放电单元结构，这种结果带有一种旨在逐级发光的新型驱动电路。同时还开发了一种减少动态拟似轮廓（DFC）的新方法——动态适应型子场编码。新开发的55英寸WXGA屏具有一个1000cd／m^2峰值亮度和一个在350W显示耗能时带有一个9000K色温的160cd／m^2的全屏白先。