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六方密堆型,纤锌矿型,红砷镍矿型等三种晶体结构的微变化规律性
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作者 何铸文 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 1993年第1期80-87,共8页
关键词 密堆型 晶体结构
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高压下AlN的电子结构和光学性质 被引量:4
2
作者 李泽涛 党随虎 李春霞 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1123-1129,共7页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构.结合电子结构分析了高压对AlN光学性质的影响,发现在压力的作用下AlN吸收光谱有蓝移的趋势. 展开更多
关键词 密度泛函理论 六方纤锌矿结构aln 电子结构 光学性质
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衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响 被引量:8
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作者 庄惠照 何建廷 +4 位作者 薛成山 张晓凯 田德恒 胡丽君 薛守斌 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1105-1108,共4页
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO... 在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。 展开更多
关键词 PLD ZNO 薄膜 结构
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电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 被引量:3
4
作者 吴玉新 薛成山 +3 位作者 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1420-1422,共3页
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。
关键词 氮化镓薄膜 SI衬底 电泳沉积 结构
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脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文) 被引量:1
5
作者 何建廷 庄惠照 +5 位作者 薛成山 田德恒 吴玉新 刘亦安 胡丽君 薛守斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期978-980,985,共4页
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现... 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构。利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜。 展开更多
关键词 PLD ZNO 薄膜 结构
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均匀沉淀法制备纳米氧化锌研究 被引量:1
6
作者 曾宪华 史运泽 樊慧庆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期165-167,共3页
以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构... 以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构进行了研究。该方法制备的纳米氧化锌平均粒径在11 nm 左右。 展开更多
关键词 氧化 纳米粒子 均匀沉淀法 型晶体结构
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中国电科46所取得高质量AlN单晶制备技术新突破
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作者 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2177-2178,共2页
氮化铝(AlN)晶体属于超宽禁带半导体材料,具有诸多优异的物理性能,是新一代高性能微波功率器件及紫外光电器件的理想衬底材料。AlN单晶衬底及其相关器件一直是超宽禁带半导体领域的研究热点。AlN晶体为六方纤锌矿结构,且具有很强的各向... 氮化铝(AlN)晶体属于超宽禁带半导体材料,具有诸多优异的物理性能,是新一代高性能微波功率器件及紫外光电器件的理想衬底材料。AlN单晶衬底及其相关器件一直是超宽禁带半导体领域的研究热点。AlN晶体为六方纤锌矿结构,且具有很强的各向异性。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 微波功率器件 结构 光电器件 衬底材料 各向异性 物理性能 制备技术
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Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究 被引量:11
8
作者 高小奇 郭志友 +3 位作者 曹东兴 张宇飞 孙慧卿 邓贝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期3418-3425,共8页
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd... 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义. 展开更多
关键词 Cd:O共掺杂 aln 电子结构 p型掺杂特性
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PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性 被引量:5
9
作者 何建廷 庄惠照 +1 位作者 薛成山 王书运 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期24-26,共3页
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,... 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度。ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构。 展开更多
关键词 半导体技术 ZNO薄膜 PLD 结构
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不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究
10
作者 刘海瑞 赵丹 +4 位作者 梁建 张竹霞 刘旭光 贾虎生 许并社 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1177-1182,共6页
采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱... 采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的"塔"状结构;虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强。最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析。 展开更多
关键词 InGaN纳米晶 Au催化 结构 PL谱
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热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究
11
作者 王丹 张喜田 +4 位作者 刘益春 张吉英 吕有明 申德振 范希武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期570-572,共3页
 用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大。光致发...  用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大。光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热氧化温度升高,激子发光峰发生红移,激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大,在热氧化温度为800℃时,其比值为10。 展开更多
关键词 纳米ZNO薄膜 热氧化 X射线衍射 发光特性 紫外光致发光 结构
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溶胶-凝胶法合成纳米ZnO∶Al的表征及光学性能 被引量:3
12
作者 师清奎 李丽华 +2 位作者 李谦 黄金亮 顾永军 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期249-253,共5页
以六水硝酸锌和九水硝酸铝分别作锌源和掺杂剂,使用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法合成纳米ZnO∶Al。采用X线衍射(XRD)分析、透射电子显微(TEM)分析、X线光电子能谱(XPS)分析、光致发光光谱(PL)分析等方法对纳米ZnO∶Al进行表征。实验结果表明,So... 以六水硝酸锌和九水硝酸铝分别作锌源和掺杂剂,使用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法合成纳米ZnO∶Al。采用X线衍射(XRD)分析、透射电子显微(TEM)分析、X线光电子能谱(XPS)分析、光致发光光谱(PL)分析等方法对纳米ZnO∶Al进行表征。实验结果表明,Sol-Gel法合成纳米ZnO∶Al颗粒为六方纤锌矿型结构,当前驱体摩尔浓度为0.25 mol/L、热处理450℃和掺杂Al摩尔分数为3%时,样品的结晶性良好;XPS也证实Al^(3+)掺杂进入到ZnO晶体中,样品呈类球形,颗粒大小随前驱体浓度的增大而减小;对应的室温PL光谱上近紫外发射峰和弱蓝光缺陷峰强度都随浓度的增大而减小。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 纳米ZnO∶Al 类球形 PL光谱
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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征 被引量:1
13
作者 王珊珊 王雪文 +4 位作者 阎军峰 邓周虎 段晓峰 赵武 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期171-174,共4页
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结... 采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜;XPS分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且Ga:N约为1:1;PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能. 展开更多
关键词 氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 结构
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粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性 被引量:1
14
作者 刘思宁 周艳文 +1 位作者 吴川 吴法宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期937-943,共7页
室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜。通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能。采用原子力显微镜和X射线衍射仪分别对薄膜的形貌和结构进行检测分... 室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜。通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能。采用原子力显微镜和X射线衍射仪分别对薄膜的形貌和结构进行检测分析;采用紫外可见分光光度计和霍尔效应仪分别对薄膜的光电性能进行检测分析。结果表明,所制备的三层膜表面平整,颗粒大小错落均称;三层膜呈现多晶结构,AZO层薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,Ag层薄膜具有(111)择优取向的立方结构;当三层薄膜为AZO(20 nm)/Ag(12 nm)/AZO(20 nm)时,在550 nm处的透光率为88%,方块电阻为4.3Ω/□,电阻率为2.2×10^(-5)Ω·cm,载流子浓度为2.8×1022/cm^3,迁移率为10 cm^2/(V·s),品质因子为3.5×10-2Ω^(-1)。 展开更多
关键词 AZO/Ag/AZO 多层透明导电薄膜 结构 粉末靶 射频磁控溅射
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水热法制备ZnO抗静电导电粉研究
15
作者 刘雪佳 张有为 +1 位作者 张丹丹 郑冀 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期253-255,共3页
采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形貌、粒度等进行了分析和表征。结果表明,制得的ZnO纳米导电粉体具有六方纤锌矿结构,结晶完好,颗粒呈棒状... 采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形貌、粒度等进行了分析和表征。结果表明,制得的ZnO纳米导电粉体具有六方纤锌矿结构,结晶完好,颗粒呈棒状、球状或片状,平均粒径20.04nm,具有导电性,在160℃水热反应3h,Ga用量为1.8%(wt,质量分数)条件下,ZnO纳米导电粉体的电阻率最低,为2.18×10~6Ω·cm。 展开更多
关键词 水热法 纳米氧化 掺杂 导电性 结构
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Optical Properties of CdS.Nanobelts and Nanosaws Synthesized by Thermal Evaporation Method 被引量:1
16
作者 Zhi-wei Peng Bing-suo Zou 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2012年第2期226-230,I0004,共6页
By a simple one-step H2-assisted thermal evaporation method, high quality CdS nanos- tructures have been successfully fabricated on Au coated Si substrates in large scale. The as-synthesized CdS nanostructures consist... By a simple one-step H2-assisted thermal evaporation method, high quality CdS nanos- tructures have been successfully fabricated on Au coated Si substrates in large scale. The as-synthesized CdS nanostructures consisted of sword-like nanobelts and toothed nanosaws with a single-crystal hexagonal wurtzite structure. The deposition temperature played an important role in determining the size and morphology of the CdS nanostruetures. A combination of vapor-liquid-solid and vapor-solid growth mechanisms were proposed to interpret the formation of CdS nanostructures. Photoluminescence measurement indicated that the nanobelts and nanosaws have a prominent green emission at about 512 nm, which is the band-to-band emission of CdS. The waveguide characteristics of both types of CdS nanos-truetures were observed and discussed. 展开更多
关键词 CdS nanostructures Thermal evaporation PHOTOLUMINESCENCE Optical waveguide
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氮化镓半导体材料研究与应用现状 被引量:2
17
作者 余伟业 《新材料产业》 CAS 2021年第5期24-28,共5页
电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起,对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅(S i)器件已达到材料的物理极限,无法满足当前应用场景的需求。作为第3代半导体材料的典型代表... 电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起,对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅(S i)器件已达到材料的物理极限,无法满足当前应用场景的需求。作为第3代半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)在1928年由Johason等人首次成功制备,在一个大气压下,其晶体一般呈六方纤锌矿结构,其化学性质稳定,具有宽带隙(3.39eV)、高击穿电压(3×10^(6)V/cm)、高电子迁移率(25℃,1000cm^(2)/V·s)、高异质结面电荷密度(1×10^(13)cm^(-2))等诸多良好的电化学特性,相对于第1代半导体材料S i和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)器件而言,GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作[1-3],因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。 展开更多
关键词 半导体材料 大功率器件 结构 击穿电压 电力电子 面电荷密度 物理极限 异质结
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纤锌氮化硼(wBN)的动态高压合成
18
作者 王光祖 《磨料磨具通讯》 2006年第5期1-5,共5页
利用爆炸冲击技术,人们已发现在12GPa以上,六方氮化硼(hBN)向纤锌矿型氮化硼(wBN)转化,而菱面体氮化硼(rBN)则是在40—150GPa的压力范围内向cBN转化。对于上述两种转化过程,转化前后的晶体结构间存在着直接的对应关系,可用... 利用爆炸冲击技术,人们已发现在12GPa以上,六方氮化硼(hBN)向纤锌矿型氮化硼(wBN)转化,而菱面体氮化硼(rBN)则是在40—150GPa的压力范围内向cBN转化。对于上述两种转化过程,转化前后的晶体结构间存在着直接的对应关系,可用无扩散相变来解释。根据晶体结构之间的对应关系,认为,hBN向wBN转化其晶体结构无须发生切变;而向cBN转化其晶体的切变是必不可少的,这种相变主要依靠高压下位错运动而产生。 展开更多
关键词 型氮化硼 氮化硼 氮化硼 结构转化
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锌盐文摘
19
《无机盐技术》 2012年第2期49-49,共1页
摘要:以热镀锌渣为原料,空气为氧源,通过真空控氧法制得了纯度大于99.98%的纳米氧化锌,探讨了反应温度和体系的真空度对产物形貌的影响,研究了原料中的主要杂质元素在不同氧化条件下的行为及其对产物品质的影响。结果表明:不同... 摘要:以热镀锌渣为原料,空气为氧源,通过真空控氧法制得了纯度大于99.98%的纳米氧化锌,探讨了反应温度和体系的真空度对产物形貌的影响,研究了原料中的主要杂质元素在不同氧化条件下的行为及其对产物品质的影响。结果表明:不同的反应温度或体系的真空度对产物的形貌影响很大;当控制温度和真空度在适当范围时,产物大多为六方纤锌矿结构的纳米四针状氧化锌, 展开更多
关键词 结构 纳米氧化 文摘 四针状氧化 反应温度 真空度 热镀
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Cu-ZnO/膨润土光催化氧化处理钻井废水实验研究
20
作者 宋诚 陈集 《水处理信息报导》 2016年第3期44-44,共1页
以钠基膨润土为载体、乙酸锌为前驱体,采用溶胶凝胶法制备纳米Cu-ZnO/膨润土复合光催化剂,通过X射线衍射仪(XRD)和红外光谱仪(FT-IR)对其结构表征分析,研究了该催化剂降解钻井废水的光催化性能。结果表明,催化剂中的纳米ZnO为... 以钠基膨润土为载体、乙酸锌为前驱体,采用溶胶凝胶法制备纳米Cu-ZnO/膨润土复合光催化剂,通过X射线衍射仪(XRD)和红外光谱仪(FT-IR)对其结构表征分析,研究了该催化剂降解钻井废水的光催化性能。结果表明,催化剂中的纳米ZnO为六方纤锌矿结构,平均粒径为14.26niil,Cu掺杂后拓展了催化剂光响应范围,增强了光的吸收和利用率,提高了光催化活性。 展开更多
关键词 钠基膨润土 钻井废水 光催化氧化处理 复合光催化剂 结构 纳米ZNO 实验 X射线衍射仪
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