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六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型 被引量：3
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作者 高嵩 石广源 王中文 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第1期28-31,共4页
介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型 ,计算了不同漏源击穿电压下 ,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例 ,分析了阻值随电压变化的原因 .
关键词 六角形单胞 功率VDMOSFET 特征导通电阻 数学模型 击穿电压 功率损耗
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