球磨六角氮化硼的特性研究

本文对同一种六角氮化硼进行了不同时间的球磨,并利用X射线衍射及拉曼光谱分析了球磨后的六角氮化硼的特性。结果表明,球磨破坏了六角氮化硼的结晶度,随着球磨时间的增加,结晶度逐渐降低,网层内硼,氮原子的sp2六角环结构基本上未受到影响。本实验特别引进X光电子衍射测试手段分析了球磨后六角氮化硼的表面特性。结果表明,球磨后六角氮化硼表面上出现了B2O3,且随着球磨时间的增加,B2O3含量逐渐增加。

六角氮化硼的氧化特性对立方氮化硼合成的影响

六角氮化硼的一些性质对立方氮化硼的合成有着重要影响。本文在对三种不同纯度的六角氮化硼进行拉曼光谱、红外光谱、X光衍射光谱对比研究的基础上,进行了高温氧化、掺杂氧化物等项实验研究,讨论了六角氮化硼自身氧化特性以及在高温高压下生成的氧化物对合成立方氮化硼的影响,指出了除结晶程度、杂质含量外,六角氮化硼的氧化特性与立方氮化硼的成核、生长有直接联系。

利用球磨六角氮化硼制备立方氮化硼的研究

首先对六角氮化硼(h BN)进行了不同时间的球磨,并以球磨后的h BN作为初始原料研究了在高温高压条件下其对立方氮化硼(c BN)制备的影响。利用X-射线衍射、Rman光谱、XPS测试手段对球磨后的六角氮化硼进行了测试分析。结果表明,球磨不仅破坏了六角氮化硼的有序度,还改变了其表面成分和相对含量。

石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析

利用球磨法制备石墨 六角氮化硼微晶混合物 ,并在 6 .1GPa、80 0～ 1 5 0 0℃条件下与水进行高压反应 ,以便研究用水作触媒合成B C N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现 :高压下随着温度的升高 ,反应产物中出现再结晶石墨 ,其晶化程度逐渐提高 ;但没有出现再结晶六角氮化硼 ,也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下 ,石墨 六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散 ,它们与水高压反应时 ,能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象 ,但都没有形成B C

二维六角氮化硼光学性质的应变调控

采用第一性原理方法研究了二维单原子层六角氮化硼(hexagonal boron nitride,H-BN)在不同应变状态下的光学性质.计算结果表明:二维单原子层H-BN光学性质对晶格应变敏感;在平面对称和非对称应变下,随着晶格常数的增大,原子层H-BN的介电函数峰都发生红移;在非对称应变下,由于对称性破坏,单层H-BN表现出各向异性的光学性质.这些结果表明,平面内应变可以有效地调节H-BN的光学性质.

六角氮化硼层间结合能的计算

本文利用Lennard-Jones势和库仑势计算了不同尺寸的hBN和rBN片的层间结合能,得出了hBN向rBN转变要跨越的势垒以及E_f(rBN)<E_f(hBN),E_c(hBN)<0,E_c(rBN)>0等结果。

基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.

铁在六角氮化硼层中的磁行为(英文)

采用第一原理密度泛函理论计算研究了铁原子掺杂入六角氮化硼层中的磁行为。发现铁诱发了六角氮化硼层的自旋分裂,铁d电子的占据也明显发生变化。通过密里肯标准布居分析判断,体系表现出来的磁矩主要由铁的3d电子捐献。论文丰富了分子磁铁的研究并指出了一条增强分子体系磁性的方法。

中科院等在六角氮化硼沟槽中成功制备石墨烯纳米带

中国科学院上海微系统与信息技术研究所与上海科技大学、华中科技大学等单位合作，在国际上首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现了石墨烯纳米带的可控生长，成功打开了石墨烯的带隙，并在室温下验证了其优良的电学性能，为研发石墨烯数字电路提供了一种可能的技术路径。据悉，该方法现已获得中国和美国发明专利授权。

无序双层六角氮化硼量子薄膜的电子性质

基于安德森紧束缚模型,本文研究了无序双层六角氮化硼量子薄膜的电子性质.数值计算结果表明在双层都无序掺杂的情况下,六角氮化硼量子薄膜的电子是局域的,其表现为绝缘体性质;而对于单层掺杂(无论是氮原子还是硼原子)的双层六角氮化硼量子薄膜,在能谱的带尾出现了持续的迁移率边.这就说明在单层掺杂的双层六角氮化硼量子薄膜中产生了金属绝缘体转变.这一结果证实了有序-无序分区掺杂的理论模型,为理解及调控双层六角氮化硼量子薄膜的电子性质提供了有益的理论指导.

单轴大应变下二维六角氮化硼的结构变化

采用第一性原理方法研究了二维六角氮化硼(2Dh-BN)在单轴大应变下的结构变化.计算过程中以原胞在垂直和平行于B—N键方向的长度Lx和Ly来描述2Dh-BN所受到的应变.结果表明:在垂直于B—N键的方向施加大应变,当Lx≤0.3388nm时,体系处于简单斜方结构;随着应变的增大,体系逐渐从简单斜方结构向简单长方结构转变,当Lx≥0.3488nm时,体系处于简单长方结构,该结构是由交错并排的BN链相互作用形成;随着应变继续增大,简单长方结构中链之间的作用逐渐减小,当Lx>0.6nm最终趋向于孤立的BN链.在平行于B—N键的方向施加大应变,体系从最初的简单斜方结构直接转变成交错并排的BN链结构,没有出现长方结构,当Ly>0.571nm时,体系最终也趋向于孤立的BN链结构.

六角氮化硼片能带结构的应变调控

采用第一性原理研究了应变对单层、双层和三层BN片能带结构的影响.研究表明,随着张应变的增大,BN片的带隙线性变小,且变化的斜率与层数以及多层BN片的堆垛方式无关.

常压合成立方氮化硼的探讨

在ｈＢＮ－Ｌｉ３－ＬｉＮＨ２体系中，于常压１１００－１２００Ｋ的温度条件下合成了出形貌与高温高压下合成的ｃＢＮ晶体相似的无色透明晶体。经检验，该晶体不是ＣＢＮ晶体。

中科院氮化硼表面制备石墨烯单晶研究获突破

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在世界上首次通过引入气态催化剂的方法成功实现了石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。

上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯

近年随着扭转角在魔角范围(~1.1°)的双层石墨烯中新奇量子现象的发现,扭转双层石墨烯的研究愈发受到关注。目前,实验室小扭转角双层石墨烯多是通过微机械剥离法与手工堆垛方法制备,如何通过生长的方法直接制备出小扭转角双层石墨烯是当前需要解决的重要课题。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王浩敏课题组与清华大学教授李群仰团队合作,首次报道了在六角氮化硼(h-BN)表面通过化学气相沉积法制备出具有不同扭转角的双层石墨烯,并发现小扭转角双层石墨烯的局域原子重构对其垂直电导的影响。

准八面体CBN单晶的合成研究

通过对原料、触媒及合成工艺的研究，采用国产DS-029B型六面顶压机在4．2—5．3GPa，1350。1470℃的范围内，从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm，峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察，发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满，并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力，是一种合成CBN晶体的有效触媒，该种CBN晶体具有较好的破碎强度。

HBN—Ca_3B_2N_4体系中浅黄色CBN合成研究

在二步合成法制得Ca_3B_2N_4的基础上,实现在Ca_3B_2N_4触媒作用下的hBN向CBN的转化,结合实验结果和现象分析,简要阐述了hBN-Ca_3B_2N_4体系中CBN的转化机制。

Li_3N在低压合成BN中的作用

研究了B4C和NH4Cl在常压高温反应中Li3N的催化作用 .XRD测量结果表明 ,在N2和NH3气氛条件下 ,Li3N在反应过程中对h

立方氮化硼晶体生长与三大基材的关系

1引言cBN没有天然的。R．H．Wentorf 1957年第一次在高压高温下，以类石墨的六角氮化硼（hBN）为原料，在碱金属的参与下生长出了cBNt。纯净的cBN应该是无色的，可是，用人工生长出来的cBN晶体却往往是有颜色的，是因为在cBN晶体中有不同的杂质存在的缘故。