一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究

根据介质隔离兰格耦合器的结构特点,设计了基于BCB介质桥的兰格耦合器的加工工艺流程。通过对工艺流程中的关键技术和重要影响因素进行分析,得到了加工过程中的工艺参数。按此工艺参数进行加工,得到兰格耦合器样件,与空气桥兰格耦合器相比,在保证电性能的基础上提高了组装的可靠性。

基于ADS的兰格耦合器的设计与测试

为了简化兰格耦合器设计过程及优化其电路结构,提出一种使用ADS软件设计兰格耦合器设计的方法,并对所设计兰格耦合器进行S型弯曲处理,减小电路体积。通过ADS软件仿真优化计算出这种S型兰格耦合器的结构尺寸,利用微细微带工艺加工出实物。实物测试结果表明:在WCDMA频带范围内,所制作S型兰格耦合器插入损耗小于0.109 dB,回波损耗小于-22 dB,隔离度小于-27 dB,上述实测指标皆达到实际工程应用标准。

CAD技术在宽带兰格耦合器设计中的应用

文中着重叙述了CAD软件在兰格耦合器电路设计中的优化、工艺参数的模拟等方面的应用,经综合CAD技术应用电路实测值同CAD软件仿真的数值相吻合。

一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器(英文)

介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能。选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑。在5～20GHz频率范围内，以展示出低的峰值相移误差（≤2°）；低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB)。芯片尺寸为：4.2mm×0.46mm×0.1mm.

宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计

介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整个频带内插入损耗〈3．7dB，相位误差〈14°，输入输出驻波比〈1．8：1。芯片尺寸1．5mm×3．0mm×0．1mm。详细描述了电路的设计流程，并提供最终的测试结果。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点，可应用于不同的微波系统。

一种具有高隔离度的双频双圆极化卫星通信天线

提出了一种新型的用于卫星通信的双频双圆极化多层微带贴片天线.该天线采用兰格耦合器正交馈电,分别在420±1.5MHz和450MHz±1.5MH的收发频率实现右旋和左旋圆极化辐射,且满足单一天线收发双工的通信要求;采用耦合贴片馈电方式和附加集总电路滤波网络,有效地改善了两端口之间的收发隔离度.此外,该天线采用高介电常数的介质基板减小了天线尺寸.兰格耦合器采用曲折线技术减小了馈电网络的结构尺寸(约74.6%).仿真和实测结果吻合良好,在工作频带内收发隔离度大于40dB,VSWR小于2.0,增益大于3dBc,0dB增益宽度及3dB轴比宽度均达到80°.

Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC

报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对Lange耦合器的端接阻抗进行优化,使得设计的Lange耦合器物理尺寸符合工艺规则要求。放大器采用三级放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。芯片在43~46GHz频带范围内、6V偏置、连续波工作条件下,饱和输出功率大于33dBm,效率大于15%,功率增益大于14dB,线性增益为16dB,线性增益平坦度小于±0.8dB,芯片面积3.9mm×4.8mm。

4～12GHz三级宽带功率放大器

设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4～12GHz功率增益为30±3dB,输出功率大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能在全频段内小于-7dB。

平衡式宽带低噪声放大器设计

针对现代通信对于通信数据容量的需求,接收机的前端电路的低噪声放大器需要满足宽带设计指标。平衡式放大器结构的使用和对耦合器优化设计可以在满足宽带设计指标的前提下,降低产品成本。使用射频仿真软件ADS对设计的电路进行仿真,结果证明了理论的可行性。设计的平衡式低噪声放大器实现了1.313 GHz从1.434~2.747 GHz的频率带宽,设计完成的平衡式宽带低噪声放大器噪声系数0.567±0.033dB,增益系数15.5±2.25dB,电路的输入端和输出端最大反射分别为-19.78dB和-16.586dB。

8～18GHz微波低噪声放大器的设计与实现

采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。

新颖的超小型多倍频程5位GaAs数字移相器

介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5°和11.25°相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz～20GHz频率范围内,获得低峰值相移误差≤5°对180°、90°、45°相移位,≤2.5°对22.5°和11.25°相移位;低输入/输出驻波比≤1.8;低插入损耗起伏(1OdB±0.8dB)和小芯片尺寸(4.2mm×2.5mm×0.1mm)。

A4~12GHz Wideband Balanced MIC Power Amplifier

A 4-12GHz wideband power amplifier,using a balanced configuration with a strip line Lange coupler, is designed and fabricated. This power amplifier shows a maximum continuous wave output power of 29.5dBm at 8GHz center frequency with an associated gain of 8.5dB and a gain flatness of ＋ /- 0.6dB in the 4-12GHz frequency range.

氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用

对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性。