基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究

介绍了基于共享Buffer技术的SOI(绝缘体上硅)LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显。通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优化后能达到原有器件的表现性能。