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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
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作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。 展开更多
关键词 共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触
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肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟
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作者 宋瑞良 毛陆虹 +2 位作者 郭维廉 梁惠来 张世林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期290-294,共5页
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在... 使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。 展开更多
关键词 肖特基栅共振隧穿三极管 器件模拟 单稳-双稳转换逻辑电路单元
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共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展 被引量:3
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作者 郭维廉 牛萍娟 苗长云 《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期298-304,共7页
介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。
关键词 共振穿二极管 共振隧穿三极管 集成电路
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Simulation and Experimental Research on a Schottky Gate Resonant Tunneling Transistor
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作者 宋瑞良 毛陆虹 +1 位作者 郭维廉 余长亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1062-1065,共4页
A Schottky gate resonant tunneling transistor (SGRTT) is fabricated. Relying on simulation by ATLAS software,we find that the gate voltages can be used to control the current of SGRTT when the emitter terminal is gr... A Schottky gate resonant tunneling transistor (SGRTT) is fabricated. Relying on simulation by ATLAS software,we find that the gate voltages can be used to control the current of SGRTT when the emitter terminal is grounded and a positive bias voltage is applied to the collector terminal. When the collector terminal is grounded, the gate voltages can control the peak voltage. As revealed by measurement results, the reason is that the gate voltages and the electric field distribution on emitter and collector terminal change the distribution of the depletion region. 展开更多
关键词 Schottky gate resonant tunneling transistor device simulation depletion region
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