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共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点 被引量:2
1
作者 郭维廉 牛萍娟 +4 位作者 李晓云 谷晓 张世林 梁惠来 毛陆虹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期480-487,共8页
在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。
关键词 共振隧穿器件 共振隧穿器件集成电路技术 发展趋势 研究热点
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共振隧穿器件概述——共振隧穿器件讲座(1) 被引量:6
2
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2005年第9期398-404,424,共8页
通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识。
关键词 共振隧穿器件 工作原理 参数 设计
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RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量:1
3
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。
关键词 器件结构 制造工艺 台面和平面结构 混合集成 空气桥 共振隧穿器件
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利用共振隧穿器件制作太赫兹波源
4
作者 郭维廉 牛萍娟 +6 位作者 李晓云 谷晓 何庆国 冯志红 田爱华 张世林 毛陆虹 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期595-602,623,共9页
太赫兹波是振荡频率在100GHz~10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制... 太赫兹波是振荡频率在100GHz~10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。 展开更多
关键词 太赫兹波 太赫兹波源 共振隧穿器件 振荡源 毫米波
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多重双势垒结构中电子共振隧道效应的理论研究 被引量:1
5
作者 吴晓薇 《西南民族学院学报(自然科学版)》 1996年第1期11-15,共5页
研究了一维多重双势垒结构中电子共振隧穿效应,给出了透射系数和共振隧穿条件的解析表达式,数值计算并解释了随双势垒内外讲宽度差△d变化的共振隧穿透射能谱,与对应的多重单势垒结构相比,这种多重双势垒结构显示出一些有趣的性质.
关键词 共振隧穿器件 多重双势垒结构 道效应
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纳米量子器件研究的若干前沿问题 被引量:8
6
作者 彭英才 赵新为 刘明 《自然杂志》 北大核心 2003年第3期145-149,共5页
纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向 .人们预测 ,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展 ,都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命 .所谓纳米量子器件 ,是指基于各种量子力学现象 ,如量子... 纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向 .人们预测 ,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展 ,都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命 .所谓纳米量子器件 ,是指基于各种量子力学现象 ,如量子尺寸效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应、光学非线性效应以及量子信息处理等设计并制作的固态纳米电子器件、光电子器件、集成电路乃至量子计算机等 .本文将着重介绍目前纳米量子器件研究中的若干活跃前沿以及我们应采取的对策 . 展开更多
关键词 半导体纳米结构 量子力学效应 纳米量子器件 纳米电子学 单电子器件 共振隧穿器件
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纳米加工和纳米电子器件 被引量:2
7
作者 刘明 谢常青 +4 位作者 王丛舜 龙世兵 李志钢 易里成荣 涂德钰 《微纳电子技术》 CAS 2005年第9期393-397,共5页
介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。
关键词 自上而下的纳米加工 纳米器件 单电子器件 共振隧穿器件
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纳电子器件 被引量:1
8
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 刘玉贵 武一宾 吕苗 杨拥军 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期557-561,共5页
随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转... 随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件 。 展开更多
关键词 纳电子器件 介观系统 量子干涉器件 共振隧穿器件 单电荷转移器件 工作机理
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固体纳米电子器件和分子器件 被引量:10
9
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期1-7,共7页
综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。
关键词 固体纳米电子器件 分子电子器件 单电子器件 共振隧穿器件
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纳米光电子器件的最新进展及发展趋势 被引量:3
10
作者 程开富 《光子技术》 2003年第1X期4-10,共7页
纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.
关键词 纳米技术 纳米光电子器件 发展趋势 纳米激光器 共振隧穿器件 量子点
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固体纳米电子器件的发展及应用
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作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2004年第2期1-4,54,共5页
介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)。
关键词 共振隧穿器件 量子点器件 单电子器件 应用 综述
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CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景 被引量:2
12
作者 郭维廉 牛萍娟 +6 位作者 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期461-469,506,共10页
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
关键词 CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性
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2007年第44卷总目次
13
《微纳电子技术》 CAS 2007年第12期I0001-I0006,共6页
关键词 纳米级 ZNO 共振隧穿器件 郭维 目次 硬盘技术 GAN
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《微纳电子技术》2005年总目次
14
《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期586-588,共3页
关键词 碳纳米管 纳米材料 纳米科技 纳电子技术 纳米技术 共振隧穿器件 纳米器件 量子点 纳米制造 电子材料 纳米级 自组装 纳米结构 纳米颗粒 纳米粒子 制备技术 目次
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《微纳电子技术》2006年总目次
15
《微纳电子技术》 CAS 2006年第12期601-603,共3页
关键词 共振隧穿器件 RTD 研究进展 纳米材料 碳纳米管 纳米晶体管 纳电子技术 纳米碳管 纳米电子 量子效应 MEMS 纳米结构 量子点 电子材料 纳米粒子 生物芯片 微纳米 ULSI 郭维 目次
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Investigation on tunneling in optoelectronic devices with consideration of subwaves 被引量:1
16
作者 WANG XianPing YIN Cheng +2 位作者 SANG MingHuang DAI ManYuan CAO ZhuangQi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第3期388-392,共5页
Since novel optoelectronic devices based on the peculiar behaviors of the tunneling probability, e.g., resonant tunneling devices (RTD) and band-pass filter, are steadily proposed, the analytic transfer matrix (ATM) m... Since novel optoelectronic devices based on the peculiar behaviors of the tunneling probability, e.g., resonant tunneling devices (RTD) and band-pass filter, are steadily proposed, the analytic transfer matrix (ATM) method is extended to study these devices. For several examples, we explore the effect of the scattered subwaves on tunneling; it is shown that the resonant or band-pass structures in tunneling probability are determined by the phase shift results from the scattered subwaves. 展开更多
关键词 光电器件 光电子设备 带通滤波器 共振隧穿器件 转移矩阵 RTD ATM
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