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题名一种尾电流可动态调节的负跨导振荡器的设计
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作者
黎明
方健
马红跃
卜宁
张波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2021年第9期57-61,共5页
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文摘
为了解决负跨导振荡器的共模瞬态抗干扰度(Common-Mode Transient Immunity,CMTI)与功耗之间的矛盾,对负跨导振荡器进行了深入的研究和仿真分析。负跨导振荡器发生快速的负CMT事件时,若流出振荡器的位移电流过大,会使得N对管漏端电压被钳位在一个负的二极管压降,导致振荡器停止工作。为了提升负跨导振荡器的CMTI并降低振荡器功耗,提出了一种尾电流可以动态调节的负跨导振荡器的设计方案。仿真结果表明,采用该方案的负跨导振荡器在快速的共模瞬态噪声的影响下,依旧能够维持振荡,保证信号或能量的有效传输。当CMTI为300 V/ns时,功耗为原来的1/7,大大降低了电路的功耗。
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关键词
负跨导振荡器
片上变压器
共模瞬态抗干扰度
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Keywords
negative-gm oscillator
on-chip transformer
common mode transient immunity
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分类号
TN453
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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