基于改进共源共栅电流镜的第三代电流传输器

第三代电流传输器CCⅢ(The Third Generation Current Conveyor)的基本模型由于采用基本电流镜,使得电路的DC和AC性能偏低。本文采用不同于原电路的电流镜结构,应用共源共栅电流镜和改进共源共栅电流镜(改进共源共栅电流镜具有较大的输出阻抗)提出了一种高性能电流传输器电路结构。

一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现

提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路,设计基于0.5μm2P3M BiCMOS Process,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,并用HL50S-S3.1S.lib库文件用HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB。

一种基于求和型CMOS基准电流源的RC振荡器

基于HHNEC 0.35μm 5V CMOS工艺,提出一种自偏置共源共栅电流镜结构的改进新颖求和型CMOS基准电流源,产生一个低温漂基准电流作为充放电电流,设计了一款应用于温度传感器芯片的高精度RC振荡器,采用共质心结构和虚拟管匹配技术完成RC振荡器版图。仿真结果表明,在温度范围为-40℃~80℃,电源电压范围为4.5V^5.5V时,基准电流仅变化了3.62nA,温漂系数是11.09ppm/℃。RC振荡器输出中心频率为4.717MHz,占空比为50%,误差小于0.94%,功耗为0.25mW。

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.

一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源

介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。

一种带软启动电路的带隙基准电压源的实现

文章提出了一种带软启动电路的带隙基准电压源电路,设计基于0.5!m2P3MBiCMOSProcess,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,同时还增加了软启动电路,从而减少了基准电路在启动时的电流,保护了电路的正常启动工作,并用HL50S-S3.1S.lib库文件对HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB。

一种高电流匹配精度电荷泵电路设计

文章提出了一种基于TSMC 0.35μm CMOS工艺的高电流匹配精度电荷泵电路。该电路采用了对称结构充放电流镜,自偏置高摆幅共源共栅镜像电流源和电流开关加速电路,提高了高速工作时电路的稳定性,消除了电压跳变现象,解决了充放电流不匹配的问题,且输出摆幅较大。仿真结果表明,该电路可很好的工作于高精度锁相环电路中。

一种超低温漂低功耗全CMOS基准电压源

提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源。利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的ΔVTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压。采用了共源共栅电流镜,以降低电源抑制比(PSRR)和电压调整率。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-22℃-142℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-6)/℃;在1.33.3 V电源电压范围内,电压调整率为0.48%;频率为100Hz时,PSRR为-62dB;功耗仅为191nW,芯片面积为0.005mm2。

一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

提出了一种用于温度传感器的高电源抑制比（PSRR）、低温度系数、低功耗的CMOS带隙基准电压源。在传统CMOS带隙基准电压电路的基础上，增加了优化的电源抑制比增强电路，在带隙基准反馈环路中引入电源噪声，使上面电流镜的栅源电压保持恒定值，从而提高电源抑制比。采用自偏置共源共栅电流镜，来实现匹配更好的与绝对温度成正比（PTAT）电流镜像。采用华虹宏力0．13urnFSl30PRCMOS工艺实现，使用HSPICE仿真。仿真结果表明电路输出基准电压为1．2V，电源抑制比在1KH2时达到90dB，在-40～100℃的温度范围内温度系数是10ppm／℃，在1．8～3．6V工作电压范围内的线调整率为0．5mV／V，工作电流43uA。

一种高精度曲率补偿带隙基准电路

设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路，通过Buck氏电压转移单元和与温度无关的电流对V雎进行高阶补偿。测试表明，温度在-45℃～125℃时，温度系数为5．9×10^-6V／℃，在3．5～5．5V之间的电压调整率为0．4mV／V。采用低压共源共栅电流镜结构，以减少对电源电压的依赖，消除了精度与余度之间的矛盾。

一种高性能CMOS电荷泵的设计

设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路。电路中采用三对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像,增大了低电压下电荷泵的输出电阻,并实现了上下两个电荷泵的匹配。为了消除单端电荷泵存在的电荷共享问题,引入了带宽幅电压跟随的半差分电流开关结构,使电荷泵性能得以提高。设计采用0.18-μm标准CMOS工艺。电路仿真结果显示,在0.35V到1.3V范围内泵电流匹配精度达0.9%,电路工作频率达250MHz。

音频功放芯片中AB类输出运放的设计

采用0．6μmDPDM工艺，设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器，其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出，其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构，偏置部分采用外部电流源供电，并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3～5V，在5V下的静态功耗为6mW。能驱动32Ω耳机，其最大输出功率是90mW。仿真结果表明，电路性能优良。

低电流比例失调的无电阻带隙基准电压源

提出了一种改善电流比例失调的无电阻带隙基准电压源。该电路将传统源耦差分对结构的电压转换器改进为共源共栅结构电流镜,并引入了一对额外的电流镜来钳制漂移,显著改善由沟道长度调制效应所引起的电流镜失调,同时减小了电流比例系数的温度漂移。设计了自偏置电路、启动电路以及简单二阶补偿电路,采用0.5μm BCD工艺仿真,在5 V工作电压下,输出电压有效温度系数为19.8×10–6/(℃–45^+125℃),低频电源抑制比PSRR为–50dB,工作电压在4.0~6.5 V变化时,输出电压变化小于17 mV,电路总功耗约300μW。

一种高性能CMOS电荷泵的设计

设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路。电路中采用3对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像,增大了低电压下电荷泵的输出电阻,实现了上下两个电荷泵的匹配。为消除单端电荷泵存在的电荷共享问题,引入了带宽幅电压跟随的半差分电流开关结构,使电荷泵性能得以提高。设计采用0.18μm标准CMOS工艺。电路仿真结果显示,在0.35～1.3V范围内泵电流匹配精度达0.9%,电路工作频率达250MHz。

自偏置的多段曲率校正带隙基准源

典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃～75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.

一种用于ADC测试的自适应斜率调整斜坡发生器

介绍了一种用于模数转换器(ADC)测试的、可以进行斜率自适应调整的斜坡发生器,在基本斜坡发生器原理的基础上,通过斜率自适应调整机制,在满足斜坡信号线性度的同时,保证了斜坡的斜率具有较高的精度,克服了基本斜坡发生器对于斜坡斜率控制不够精确的弊病,将斜坡斜率的精度提高到1.5%,而功耗却不超过10mW,并可以根据实际需要对斜坡信号的斜率及幅度进行调整,从而实现从μs到s级的任意幅度斜坡信号的产生。