共漏极双功率MOSFET封装研究

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。

一种BTL低静态功耗CMOS音频功率放大器的设计

对AB类CMOS音频功率放大系统中的核心运放单元电路结构,即基于共漏与共源并联组合的功率级放大电路进行了改进与优化设计。基于CSMC0.6μmCMOS工艺的仿真结果表明,在5V电源电压下,静态电流仅为1.59mA。BTL模式驱动4Ω的负载,当1kHz频率点的总谐波失真小于0.1%时,获得的最大输出功率可以达到2W,电源转换效率为60.7%。

基于有源网络和受控辅助电阻支路的有源电感

针对传统共漏-共栅-共源(CD-CG-CS)有源电感的不足,结合有源网络和受控辅助电阻支路,设计了一款具有大电感值,且可在不同频率下获得高Q峰值和在同一频率下对Q峰值进行大范围调谐的新型有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦公司的射频电路设计工具ADS软件对其进行仿真验证。仿真结果表明:当调节有源网络偏置时,在2.48~2.87 GHz的工作频带内,取得了10.89~13.16 nH的大电感值,在2.48,2.74和2.87 GHz三个不同频率下,分别取得了9 997,4 015和2 717的高Q峰值。当调节受控辅助电阻支路偏置时,在工作频率为3.10 GHz下,取得了11.65~17.61 n H的大电感值,Q峰值可在616~3 823之间进行大范围调谐。用Cadence Virtuoso工具进行版图设计,新型有源电感的版图面积较小,仅为21.5μm×34.4μm。

电阻阵列单元电路不同驱动方式的仿真

比较了电阻阵列动态红外景象投射器单元电路的三种不同驱动结构的性能,用spice软件进行了仿真,讨论了这三种电路对电源总线和地总线的电位变化的敏感程度,最后得出结论共漏驱动结构是比较好的选择。

Attack on the Enhanced Multiparty Quantum Secret Sharing

Recently, Gao et al.'s [Commun. Theor. Phys. 52 (2009) 421] multiparty quantum secret sharing (MQSS) protocol with two-photon three-dimensional Bell states was enhanced by Hwang et al. [Commun. Theor. Phys. 56 (2011) 79]. The improved protocol removes some unnecessary unitary operations, devices, and transmissions by the technique of decoy single photons and careful modification. However, in this paper, we investigate the security of the improved protocol and find it is insecure. The eavesdropper can steal all Alice's secret information. Furthermore, a feasible modification to remedy the security loophole is put forward. Our improved protocol provides a basic method to modify a kind of MQSS protocols which cannot resist the collusion attack.