变温拉曼光谱研究电化学合成聚吡咯膜

在含有四氟化硼四丁基铵的乙氰溶液中电化学氧化吡咯制得聚吡咯膜,并在-195到150℃温度范围内研究了该聚合物膜的变温拉曼光谱。在升温过程中,与氧化态相关的拉曼光谱谱带渐渐消失,这主要是由于空气中氧气和水分子的作用。在冷冻过程中,聚合物链从无规线团状态转变成棒状构象,从而增加了导电高分子的共轭链长。由于拉曼的共振效应,在冷冻过程中与氧化态链段相关的谱带得到了增强。

N-巯基烷基吡咯在金属表面的SERS研究

N -巯基烷基吡咯能在金属表面发生化学吸附并呈现有序的分子排列。SERS研究结果表明 ,金电极表面吸附的N -( 2 -巯基乙基 )吡咯单分子层在吡咯分子的电化学聚合中可诱导聚吡咯的高度有序排列 ,使聚吡咯的有效共轭链长增加 ,有助于其电导率的提高。