单分散共轭齐聚物的合成方法

简要介绍了线性、星形和环状单分散共轭齐聚物的主要合成方法,并对不同方法的优缺点做了简要评述.其中,线性单分散共轭齐聚物的合成方法主要有4种,即控制聚合方法,发散合成方法,发散/收敛合成方法和指数增长合成方法.在星状单分散共轭齐聚物方面,主要介绍了两种苯环成环反应的应用.环状共轭齐聚物的合成主要介绍了聚合过程中的成环反应、线性共轭齐聚物的分子内环化反应和模板导向环化反应.

支化共轭齐聚物/介孔二氧化硅复合物的合成及荧光猝灭性能

通过Heck缩聚反应合成支化型聚芴/聚对苯乙烯撑(PFO/PPV)共轭齐聚物并且与介孔二氧化硅MCM-41复合成主-客体材料.使用紫外吸收光谱、荧光光谱手段表征了介孔复合薄膜的光化学性能.研究了该复合膜对硝基芳香烃物质的荧光猝灭性能.实验结果表明该介孔复合物比一般的共轭高分子检测灵敏度更高,使用期限更长,在硝基芳香烃爆炸性物质的检测上有着潜在的应用价值.

可溶性窄带隙芴-噻吩共轭齐聚物的合成与表征

设计并合成了新型可溶性芴-噻吩共轭齐聚物FT6CE,对该化合物的热性质、光物理性质和电化学性质进行了详细表征.以FT6CE为给体,(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)为受体,用溶液旋涂方法制备了体异质结太阳能电池器件,发现采用体积比为2∶1的氯仿/氯苯混合溶剂制备的器件性能最好,能量转换效率达到2.15%.

基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用

设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩(BTTT)为末端芳香单元,噻吩(T)、二噻吩(bT)、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯(TP)或2,5-双(3-十二烷基噻吩)[3,2-b]并二噻吩(qT)为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.

二噻吩并吡咯-苯并噻二唑D-A型共轭齐聚物的合成、表征及其在体相异质结太阳能电池中的应用

以二噻吩[3,2-b:2′,3′-d]并吡咯为电子给体单元、2,1,3-苯并噻二唑为电子受体单元,通过Stille偶联反应合成了4个含不同烷基取代基的给体-受体(D-A)型共轭齐聚物,即O-D3,O-D2P1,O-D1P2和O-P3,它们分别含有3～0个正十二烷基(D=dodecyl)和0～3个支化烷基链戊基己基(P=1-pentylhexyl).该系列齐聚物在薄膜状态下的吸收光谱与在溶液状态下的吸收光谱相比发生显著红移,且吸收波长主要位于500～800 nm.以该系列齐聚物为给体材料制备的体相异质结太阳能电池器件的性能与烷基链结构相关,支化烷基链含量越高,器件性能越好.含0～3个戊基己基的齐聚物的器件能量转换效率分别为0.66%,0.74%,0.75%和1.33%.