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100GHz带宽的光电导探测器芯片
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作者 王纪龙 王云才 徐遵图 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期942-945,共4页
本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量表明，它具有超过100GHz的-3dB带宽．在100fs、25pJ的脉冲激光照射下，产生的电脉冲峰值约为300m... 本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量表明，它具有超过100GHz的-3dB带宽．在100fs、25pJ的脉冲激光照射下，产生的电脉冲峰值约为300mV，脉宽（FWHM）为3.3ps． 展开更多
关键词 光电导探测器 芯片 MSM 共面微带型
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