硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究 ,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则 .成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中 ,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果 .测试结果表明 :在深亚微米 CMOS高速集成电路中 ,用共面线实现电感是一种行之有效的方法 .

V形、椭圆形、圆形微屏蔽共面线的解析分析(英文)

提出了三种新型微波毫米波单片电路共面传输线:V 形、椭圆形、圆形微屏蔽共面波导,假设其传播模式为纯 TEM 模并且不考虑色散,利用保角变换获得其特性阻抗的精确表达式,数值计算结果显示了不同的微屏蔽对其特性阻抗的影响。

波导与微带线和共面线的过渡问题

MIMIC的应用必然涉及到不同传输线之间的过渡问题,本文介绍了两种新型的波导——微带和波导——共面波导过渡器.通过实验,分析了过渡器的特性,并给出了Ka波段内的优化数据.

非对称共面线的特性阻抗

分析了两种不同模型的自由空间中非对称面西线，其共形变换技术得到了线电容的严格解；讨论了双曲正切变换有限厚度介质基片上的非对称共面线，得到了单层有限厚介质基片情况下非对称共西线的有效介电常数、单位长度电容和特性阻抗的闭合表达式。

双层介质基片上的非对称共面线

本文首先用两种不同的模型分析自由空间中非对称共面线 ,用共形变换技术得到了基本参数的严格解 ,然后用双曲正切变换分析有限厚度介质基片上非对称共面线 ,得到了双层介质基片情况下非对称共面线的有效介电常数和特性阻抗的闭合表达式。所得公式简洁准确 ,便于微波、毫米波和光学集成电路的计算机优化设计。

有限厚度衬底非对称共面线的基本参数

本文首先利用保角变换法分析了自由空间中的非对称共面线,得到了其严格解,然后给出了任意多层有限厚度衬底非对称共面线的有效介电常数、单位长度线电容、特性阻抗和导波波长的闭合形式的解析表达式。这些分析对微波毫米波集成电路的设计有意义。

线线共面条件及其平面方程的求法

空间任意两个向量都是共面的,但是空间任意两条直线却不一定共面。研究给出了线线共面的条件并加以了证明,从而得出了线线共面平面方程的求法。

共面线多阳极大面积光电倍增管的研制

提出了一种新型的基于共面线结构的多阳极光电倍增管(CPWMA-PMT),可实现大的工作面积、反射式光电阴极和近贴式聚焦方式。阐述了CPWMA-PMT的工作原理,分析了设计与研制中的关键问题。对所研制的CPLMA-PMT进行了参量测试,验证了在近贴聚焦工作条件下采用共面线多阳极结构的可行性,并提出了进一步的改进方向。

单片集成传输线──共面耦合线、共面耦合带线及矩形微屏蔽的共面耦合线的新研究

本文首次提出将一些新型的微加工共面传输线用于ＭＭＩＣ设计。这些共面传输线分别是共面耦合线（ＣＣＬ）、共面耦合带线（ＣＣＳ）、矩形微屏蔽共面耦合线（ＲＭＣＣＬ）、共面耦合矩形微屏蔽线（ＣＣＲＭＬ）。推导出用于计算这些传输线的ＴＥＭ参数的解析公式，其推导方法为基于ＴＥＭ模假设，用精确的保用变换。数字结果显示了各种共面耦合传输线的性质。

一种超宽带非对称共面波导-槽线转接器的研究

为了提高共面波导与槽线连接的灵活性，并展宽其带宽，该文提出一种超宽带非对称共面波导-槽线转接器结构。利用时域有限差分法，基于PML吸收边界条件，计算了非对称共面波导-槽线转接器在1～12GHz的S参数，分析了非对称共面波导槽宽比对转接器性能的影响。从计算结果可以看出，非对称共面波导槽宽比对转接器性能的影响呈现出一定的规律性，从而得出非对称共面波导结构与槽线的连接，在设计灵活性、阻抗匹配及带宽展宽方面均优于对称共面波导-槽线转接器。

共面波导-槽线馈电的引向天线

在对现有印刷形式的引向天线进行简单分析之后,文章提出了一种共面波导-槽线馈电的引向天线的设计方法。通过对共面波导-槽线馈电网络的馈电端口阻抗的仿真计算,解释了天线的带宽特性;在对有源振子和引向器的表面电流的仿真基础上,建立了该天线的三元对称振子阵列的辐射模型,该模型很好地解释了天线的定向辐射特性。仿真和实验结果表明,所设计的天线是一种性能良好的小型宽带定向天线。

MEMS层叠式毫米波天线设计

为了提高天线带宽,改善天线性能,提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线,该天线中心频点为35GHz,利用有限宽地共面波导—微带(FGCPW-MS)进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响,利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明,该天线带宽为11.8%,增益为7.8dB,天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比,该天线在带宽、增益等方面均到改善,且易与其他有源元件进一步集成。

S—s方式瞬变电磁测深资料处理方法研究

根据半无限均匀介质空间中电磁场的表达式，本文分析了S-s方式瞬变电磁测深法的全区视电阻率定义的的基本性质并讨论了求解方法。在此基础上，引入了基于感应电动势的“虚拟全区视电阻率”概念，从而解决了全区视电阻率的解的唯一性和存在性等问题。理论算例表明，“虚拟全区视电阻率”能较好的反映地下一维电性层电性垂向变化特征，故对瞬变电磁测深资料的定性解释有一定的实际应用价值，同时对一维反演（构制初始模型和确立目标函数）也有重要意义。

非对称共面波导-槽线转接器S参数的分析与计算

为进一步提高共面波导与槽线连接的灵活性，设计一种非对称共面波导-槽线转接器．利用基于Mur—PML混合吸收边界条件的时域有限差分法，分别计算了对称共面波导一槽线转接器与非对称共面波导一槽线转接器在3～8GHz的s参数．结果表明：计算结果与实际测试结果吻合较好；非对称共面波导-槽线转接器在设计的灵活性与阻抗匹配方面均优于对称共面波导-槽线转接器．

一种单平面结构的高精度V波段0/180°移相器

受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180°移相器,实现了电路简化设计。该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗<3 dB、相位平衡度≤5°、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能。

阻容元件

0101855双层介质基片上的非对称共面线[刊]/阮成礼//通信学报.—2000,21（9）.—86～90（K）Y2000-62474-789 0101856Gb 规模 DRAM 用的低温（Ba,Sr）TiO3电容器过程集成（LTB）技术=Low temperature（Ba.Sr）TiO3 capaci-tor process integration（LTB）technology for gigabitscaled DRAMs[会,英]/Hieda,K.& Eguchi,K.//1999 IEEE International Electron Devices Meeting.—789～792（PC）