全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题

以SiC MOSFET替代传统的Si IGBT,可获得更高的开关频率和更低的损耗,但高di/dt造成SiC MOSFET结电容和寄生电感谐振,从而引发高频振荡和过冲电压等问题。该文在充分考虑系统寄生参数的基础上,对于SiC MOSFET关断振荡建立小信号模型,推导解耦电容对于线路寄生电感完全解耦的条件,并在频域上对高频振荡和低频振荡进行分析。在此基础上,该文针对功率回路存在的低频振荡问题,提出一种低频振荡谐振分析模型,建立阻抗分析网络对低频谐振电流进行计算。最后通过仿真和实验结果验证了关断振荡分析以及谐振电流解析的准确性,并对系统参数设计提供了指导意见。

基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容测量方法研究

半导体器件输出结电容随电压的升高非线性变化。为准确提取高压工况下输出结电容,提出一种基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容测量方法。首先,探讨器件关断瞬态激发的高频振荡特征与结电容的数学关系,并形成对应的测量步骤。其次,从寄生电感、寄生电阻2个方面对影响精度的因素进行讨论。最后,搭建测试平台,对不同型号及封装的半导体器件进行测量结果的验证。实验表明,所提方法能够测量器件额定工作点处的输出结电容值,具有测试一致性高、可扩展性强等优势。