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Sm离子在SrS∶Eu,Sm电子俘获过程中的作用 被引量：1
1
作者 何志毅 王永生 +2 位作者 孙力 侯延冰 徐叙瑢 《中国科学（A辑）》 CSCD 北大核心 2001年第4期366-372,共7页
测量了SrS∶Eu ,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异 ,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布 ,通过在近红外区Sm3 +的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化 ,并发现Sm3 +的线状吸收与电子的陷阱→导... 测量了SrS∶Eu ,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异 ,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布 ,通过在近红外区Sm3 +的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化 ,并发现Sm3 +的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象 .提出了在SrS∶Eu ,Sm中陷阱的构成机制及Sm3 +离子在其中的地位 ,考察了Sm浓度对光存储量的影响 ,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法 . 展开更多
关键词 电子俘获 电子陷阱 兴存储材料 钐 陷阱饱和 吸收光谱 铕 硫化锶 空穴分布
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