电磁兼容制造涵义探讨

电气电子产品的电磁兼容性问题很突出,电磁兼容制造也越来越受到重视。然而,电磁兼容制造是一个新的概念,迄今为止,无明确的定义。为此,探讨了电磁兼容制造的涵义、内容、设计与制造的关系、相关制造技术等方面的内容,明晰了电磁兼容制造的内涵及其相关的制造技术,旨在于促进电磁兼容制造技术的发展。

产品电磁兼容制造技术综述

产品电磁兼容性是衡量产品性能的重要指标之一。以虚拟制造和现实制造技术为主实现方式的电磁兼容制造技术逐渐形成并得到长足的发展。结合产品研发流程,对电磁兼容制造技术的需求、发展和体系形成进行了介绍,对系统流程法技术发展前景进行了展望。

双极型集成电路与恒流二极管的兼容制造

本文提出双极型集成电路与恒流二极管的兼容制造的新思想,用恒流二极管取代原先由晶体管、电阻等组成的恒流源电路,并从电路的角度进行对比分析。简化了电路结构,改善了电路性能。

基于电化学微加工技术的多元兼容集成制造工艺及其应用

随着摩尔定律日益趋近其发展极限,高集成、多功能微机电系统(MEMS)器件为智能化应用的发展提供持续不竭的动力.若要实现兼容更多功能部件的系统集成,关键是要突破多元材料、复杂结构难以异质异构集成制造的工艺难题.基于电化学微加工的多元兼容集成制造技术,以其低温且易于集成的工艺属性展现了材料多样性、结构多样性和工艺多样性兼容集成的潜力,提供了有效解决上述难题的优势技术途径,为面向重大需求的高性能、智能化、微型化的MEMS器件奠定技术基础.本文对典型MEMS微加工技术的兼容性进行分析,阐述基于电化学微加工技术的多元兼容集成制造工艺的技术内涵、发展潜力、关键技术和阶段成果,并进一步探讨了后续发展亟需解决的基础科学问题.

介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展

超构表面为纳米光子器件赋予了更高的自由度与灵活度,使实用的微纳米光子器件的实现成为可能。基于高折射率半导体材料的介质超构表面制备技术可以和半导体集成电路的制作工艺结合,有希望在攻克超构表面大面积和高通量制备技术难题上发挥重要的作用,因此对其光场调控性能和制备工艺的研究是该领域近年来的重要发展方向。本文从硅、氮化硅和二氧化钛等介质超构表面出发,介绍了超构表面高通量制造技术的发展。此外,介绍了基于大面积制造技术实现实际应用的基于纳米光子器件的光学器件,如显示、成像、光调控器件。

针对功率MEMS器件而设计的高电感密度3D MEMS片内螺线管电感器

在本文中,我们报告了3D电磁电感的设计和测量,该电感嵌入在Si基板中并且可以集成铁芯。通过兼容CMOS的MEMS制造工艺,我们制造出具有良好结构完整性和可重复性的各种电感器设计。电感器的平均电感和品质因数峰峰值变化低于10%,这表明制造工艺是可重复的。在没有铁芯的电感器中,5匝电感器达到最高品质因数(21MHz时为37.6),20Ω电感器中达到了最高的电感和电感密度(分别为86.6nH和21.7nH/mm^2)。在铁芯电感器中,15匝电感器的电感为1063nH,电感密度为354.3nH/mm^2,比不带铁芯的相同设计高近18倍,据我们所知,这是MEMS微电感的最高电感密度。这种类型的电感器是RF MEMS和电磁功率MEMS器件中的重要组件,可以提高其性能和效率。