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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
1
作者
毛明春
张翔九
+5 位作者
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998年第2期175-180,共6页
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与...
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。
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关键词
异质结
内光电子发射
红外探测器
硅
半导体
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职称材料
题名
高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
1
作者
毛明春
张翔九
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
上海无线电七厂
出处
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998年第2期175-180,共6页
基金
国家"八六三"高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153)
文摘
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。
关键词
异质结
内光电子发射
红外探测器
硅
半导体
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
毛明春
张翔九
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998
0
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