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超大规模集成电路硅片的内吸杂
被引量:
2
1
作者
汤艳
杨德仁
+3 位作者
马向阳
李东升
樊瑞新
阙端麟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第5期73-75,81,共4页
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。
关键词
超大规模集成电路
硅片
内吸杂工艺
金属
氧
杂质
热处理
下载PDF
职称材料
题名
超大规模集成电路硅片的内吸杂
被引量:
2
1
作者
汤艳
杨德仁
马向阳
李东升
樊瑞新
阙端麟
机构
浙江大学硅材料科学国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第5期73-75,81,共4页
文摘
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。
关键词
超大规模集成电路
硅片
内吸杂工艺
金属
氧
杂质
热处理
Keywords
silicon ,internal gettering,metal,oxygen
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超大规模集成电路硅片的内吸杂
汤艳
杨德仁
马向阳
李东升
樊瑞新
阙端麟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
2
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职称材料
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