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超大规模集成电路硅片的内吸杂 被引量:2
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作者 汤艳 杨德仁 +3 位作者 马向阳 李东升 樊瑞新 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期73-75,81,共4页
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。
关键词 超大规模集成电路 硅片 内吸杂工艺 金属 杂质 热处理
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