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600伏高压LDMOS的实现 被引量:7
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作者 项骏 林争辉 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第11期149-152,共4页
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。
关键词 RESURF技术 内场限环技术 双层浮空场板技术 PISCES—П 600伏高压LDMOS
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