微波LTCC内埋置电感设计与参数提取

采用单π拓扑结构建立LTCC内埋置电感等效电路模型,并利用此模型来提取有效参数及各种寄生参数;采用相对介电常数为7.8、介质损耗为0.0015的微波陶瓷材料,以及银作为内电极,设计出400 MHz频率下大小为6.6 nH的LTCC内埋置螺旋电感,自谐振频率达2.2 GHz,最大Q值为50.2。

基于芯片埋置技术的CiP可靠性分析

芯片埋置技术可以提高电子组装密度以及电子产品的可靠性,是微电子封装发展的趋势。建立了聚合物内埋置芯片(CiP)的有限元模型,分析了器件的最大等效应力、剥离应力以及总等效塑性应变,得到该结构容易失效的关键位置。采用修正Coffin-Manson公式对Cu引线的疲劳寿命进行了预测,并分析了Cu引线厚度对其寿命的影响。结果表明,Cu微孔与焊盘交界处的等效应力、剥离应力以及等效塑性应变较大,容易引起裂纹或分层;Cu引线的厚度对疲劳失效起着至关重要的作用,增加Cu引线厚度可以大幅度提高Cu引线的疲劳寿命。

颅内电极脑电监测定位致癇灶

目的探讨颅内埋置电极脑电图(iEEG)监测定位致灶的意义及其安全性。方法对38例经无创方法难以定位的难治性癫病人,采用颅骨钻孔或骨瓣开颅方法埋置硬膜下和(或)深部电极,行长程视频脑电监测定位致灶。根据术中致灶定位、术后病理、术后疗效和EEG复查结果分析iEEG监测定位致灶的准确性。结果8例埋置深部电极,13例埋置硬膜下电极,17例联合应用硬膜下电极和深部电极。颅内电极埋置4～22d,平均9d;脑电监测8～226 h,平均128h。根据癫发作初始期iEEG,32例(84.2%)病人准确定位了致灶,无颅内出血和感染等严重并发症发生。结论选择性应用硬膜下和深部电极长程视频脑电监测是一种安全、有效的检查方法;癫发作初始期异常放电的节律和范围是可靠的致灶定位指标。

基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术。

基于LTCC匹配的宽带低噪声放大器研究

小体积、低功耗、宽频带是低噪声放大器发展的重要方向。本文设计了一个基于LTCC技术的宽带低噪声放大器,运用LTCC的高集成特性对匹配电路进行内埋置,并对电源杂波进行抑制,在保障性能的条件下最大限度缩小了体积。该放大器在工作频率0.2GHz～4.1GHz范围内体现了小体积,低功耗,低噪声,宽频带的特性,适用于该频段各种接收前端。

基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计

分析了低温共烧陶瓷(LTCC)的技术优势和低噪声放大器的工作原理,介绍了该放大器的小型化设计与内埋置方法,提出了一种合理的电路拓扑结构,从而减少了电路的面积与元器件数量。为电路与系统的小型化与低成本设计提供一个参考。

LTCC在微流控系统中的应用

介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。介绍了采用碳基牺牲材料以及无牺牲材料形成内埋置通道的方法。最后介绍了LTCC微流控系统在水质检测中的应用。