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利用VMWARE虚拟机测定ERP终端查询报表所需的内存值
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作者 陈毅鹏 《科技风》 2013年第8期58-58,共1页
公司ERP系统在上线运行后,出现部分终端无法查询报表情况,不能满足正常使用要求。通过对该系统运行现状的分析,找出了影响终端系统运行的原因是内存不足,采用虚拟机测试的方法,提出了合理的内存值,取得了良好的效果。
关键词 VMWARE虚拟机 ERP终端 查询报表 内存值
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合理设置WINDOWS虚拟内存 被引量:1
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作者 赵建华 《农业网络信息》 2006年第7期92-93,共2页
虚拟内存是借用硬盘空间变成页面文件(pagefile.sys),主要作用是在程序调用内存,而内存容量不足时起到补充作用。本文通过对其工作原理及实际应用的分析,说明大容量内存下虚拟内存还是有其存在必要的。并探讨了找出最合适的虚拟内存范... 虚拟内存是借用硬盘空间变成页面文件(pagefile.sys),主要作用是在程序调用内存,而内存容量不足时起到补充作用。本文通过对其工作原理及实际应用的分析,说明大容量内存下虚拟内存还是有其存在必要的。并探讨了找出最合适的虚拟内存范围值及设定虚拟内存文件的存放位置的方法。 展开更多
关键词 虚拟内存 页面文件(pagefde.sys) 系统监视器 虚拟内存范围 存放位置
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敏感变量和感知机结合的测试预言生成方法 被引量:1
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作者 马春燕 李尚儒 +2 位作者 王慧朝 张磊 张涛 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第5期1450-1463,共14页
测试预言生成技术是软件工程测试领域的研究热点之一.没有可以利用的历史测试用例是目前大部分测试预言生成技术的普遍假设,但是这种假设会使我们错过利用现有部分测试用例协助自动生成新测试用例预言的机会.在已知部分测试用例集的情况... 测试预言生成技术是软件工程测试领域的研究热点之一.没有可以利用的历史测试用例是目前大部分测试预言生成技术的普遍假设,但是这种假设会使我们错过利用现有部分测试用例协助自动生成新测试用例预言的机会.在已知部分测试用例集的情况下,提出了基于敏感变量和线性感知机的新测试用例的测试预言自动生成方法.首先,收集已知测试用例执行的语句覆盖和不同断点处内存值集合作为训练集,计算与新测试用例执行覆盖信息高度相似的测试用例集;其次,计算各断点处表征成功或失败的敏感变量集;然后,应用线性感知机求解每个断点处成功或失败概率预测的门限值;在此基础上,给出新测试用例测试预言自动生成的方法,并对方法进行讨论;最后,采用7个程序的129个故障版本作为实验对象,对共计14 300个测试用例生成测试预言.实证评价表明,测试预言准确率平均达到96.2%.该成果可以形成测试用例集合构造的"滚雪球效应",不断迭代自动生成新测试用例的测试预言. 展开更多
关键词 测试预言 线性感知机 敏感变量 测试用例 内存值
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Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement 被引量:3
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作者 YANG XiaoNan ZHANG ManHong +5 位作者 WANG Yong HUO ZongLiang LONG ShiBing ZHANG Bo LIU Jing LIU Ming 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第3期588-593,共6页
The combination of capacitance- and current-voltage (CV/IV) measurements is used to analyze trap generation in sili- con-nanocrystal memory devices during Fowler-Nordheim (FN) programming/erasing cycling. CV and I... The combination of capacitance- and current-voltage (CV/IV) measurements is used to analyze trap generation in sili- con-nanocrystal memory devices during Fowler-Nordheim (FN) programming/erasing cycling. CV and IV curves are meas- ured after certain P/E cycles. The flatband voltage (Vro) and the threshold voltage (VtQ are extracted from CV curves by solv- ing one-dimensional Schrtidinger and Poisson equations. Both hole and electron trappings are observed in the tunneling SiO2. They show up in the accumulation and the inversion, respectively. By fitting FN tunneling current, the area densities of cy- cling-induced electron traps in the blocking oxide and in the tunneling oxide are finally determined. 展开更多
关键词 Si-nanocrystal MEMORY ENDURANCE TRAPS
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