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内电场增强管状Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结的可控合成及光催化性能
1
作者 牛志睿 彭欣悦 +4 位作者 王思雯 李孝义 雪文靖 夏国珺 袁淮钶 《延安大学学报(自然科学版)》 2024年第3期1-9,共9页
构建具有特殊形貌和增强内电场的异质结材料可以有效提高光催化剂的光生电子-空穴对的分离效率,从而提升光催化活性。采用两步溶剂热+热解可控合成了金属有机骨架(MOFs)衍生的Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结,利用表征分析、光催化降... 构建具有特殊形貌和增强内电场的异质结材料可以有效提高光催化剂的光生电子-空穴对的分离效率,从而提升光催化活性。采用两步溶剂热+热解可控合成了金属有机骨架(MOFs)衍生的Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结,利用表征分析、光催化降解实验对构建的异质结物相、形貌、光学特性和活性进行了系统研究。结果表明,管状形貌的In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)具有强的光吸收响应,在In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)界面处形成的强内电场抑制了光生电子-空穴对的复合。在可见光照射下,质量比1∶1的In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)表现出最优异的光催化活性,在60 min内对盐酸四环素(TCH)的降解率达到68.44%,反应动力学常数分别比In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)提高了29.8和3.2倍,经3次循环表现出良好的稳定性。电化学测试和自由基捕获试验表明,In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结内电场强度相比In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)分别提高了3.89和2.42倍,超氧自由基(·O_(2)^(-))和空穴(h^(+))是光催化过程中主要活性物质。该研究为强内电场异质结的高效光催化剂可控合成提供了一种有效策略。 展开更多
关键词 光催化 MOFs衍生物 In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3) 异质结 内电场
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刺激模式与电极偏移影响DBS颅内电场分布的仿真研究
2
作者 王欣 靳静娜 +2 位作者 王贺 刘志朋 殷涛 《医疗卫生装备》 CAS 2018年第12期1-5,共5页
目的:探究刺激模式与电极偏移对脑深部电刺激(deep brain stimulation,DBS)颅内感应电场的影响。方法:建立包含边缘系统的有限元真实头模型,仿真分析DBS颅内电场分布,并对比不同刺激模式和电极偏移对颅内电场分布的影响。结果:DBS颅内... 目的:探究刺激模式与电极偏移对脑深部电刺激(deep brain stimulation,DBS)颅内感应电场的影响。方法:建立包含边缘系统的有限元真实头模型,仿真分析DBS颅内电场分布,并对比不同刺激模式和电极偏移对颅内电场分布的影响。结果:DBS颅内电场主要集中在电极触点处,其中正负刺激模式下的颅内电场强度最大,且同等电场强度分布区域约是单负刺激和双负刺激的2倍。当电极偏移5 mm时,电场强度衰减约600倍;当电极偏移12 mm时,电极强度衰减约8 000倍。结论:正负刺激诱发的颅内电场最强、分布区域最广;电极偏移会造成颅内电场明显衰减。研究结果将为DBS刺激模式的选择提供依据,并将为电极插入精度的确定提供支持。 展开更多
关键词 深部脑刺激 内电场分布 刺激模式 电极偏移
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a-Si(H)太阳电池内电场及收集效率的计算
3
作者 张德恒 余恬 马洪磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期228-235,共8页
在对隙态密度的分布作U形近似并考虑存在D^+、D^-缺陷峰的条件下,计算了a-Si(H)太阳电池 i层内电场的分布,对最小隙态密度g_(min)、费米能级对带隙中心的偏离△E_F和势垒高度cV_D的依赖关系及不同情况下光生载流子的收集效率。结果表明,... 在对隙态密度的分布作U形近似并考虑存在D^+、D^-缺陷峰的条件下,计算了a-Si(H)太阳电池 i层内电场的分布,对最小隙态密度g_(min)、费米能级对带隙中心的偏离△E_F和势垒高度cV_D的依赖关系及不同情况下光生载流子的收集效率。结果表明,g_(min)和△E_F是影响i层内电场分布的主要因素,而缺陷峰的影响则很小。光生载流子的收集效率对内电场分布的依赖关系很不明显,而对i层的势垒高度eV_D、热激活距离r_0、空穴的扩散长度L_p等却有明显的依赖关系。 展开更多
关键词 a-si(H) 太阳电池 内电场 收集效率
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有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收(英文)
4
作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期538-544,共7页
采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式... 采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致. 展开更多
关键词 密度矩阵方法 吸收系数 内电场
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改善OVT内电场分布的介质包裹法 被引量:5
5
作者 黄奕钒 徐启峰 +2 位作者 陈霖扬 谭巧 谢楠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期135-142,共8页
基于Pockels效应的光学电压传感器(Optical Voltage Transducer,OVT),运行中不可避免地存在震动、元器件连接的老化与热胀冷缩等问题,导致光学器件的相互位置产生偏移,进而影响电光晶体的内电场分布。文中以基于会聚偏光干涉原理的110 ... 基于Pockels效应的光学电压传感器(Optical Voltage Transducer,OVT),运行中不可避免地存在震动、元器件连接的老化与热胀冷缩等问题,导致光学器件的相互位置产生偏移,进而影响电光晶体的内电场分布。文中以基于会聚偏光干涉原理的110 k V纵向调制的OVT为例,进行了仿真分析与实验研究,发现当入射光发生±0.5°的偏移或电光晶体发生±1°的偏移时,分别引入约0.107%和0.124%的电场积分误差。由于OVT必须满足0.2%的准确度要求,上述影响不容忽视。为此提出了介质包裹法,将Al2O3陶瓷包裹在电光晶体外部,使电场积分误差分别降低至0.001%和0.003%。实验与应用的情况表明,介质包裹法简单、实用、有效。 展开更多
关键词 光学电压传感器 POCKELS效应 内电场分布 电场积分误差
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光学电压互感器内电场结构设计与优化 被引量:2
6
作者 钱思源 蔡振才 徐启峰 《广东电力》 2012年第12期66-71,共6页
介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性... 介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性。合理配置均压环和充入SF6绝缘气体可以减小场聚集效应,降低电场强度,改善晶体内电场的均匀性。最后,根据一系列仿真数据,设计了满足0.1级准确度,内电场最大电场强度仅为22.1 kV/cm的OVT结构,为下一步原理样机的研制提供参考。 展开更多
关键词 光学电压互感器 横向调制 结构设计 内电场分析 电场强度 均压环
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液体内电场对折射率的影响 被引量:1
7
作者 蒋轲 袁朋朋 许浩瀚 《苏州科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2012年第1期36-38,46,共4页
从液体分子结构微观模型出发,首先利用诱导电偶极子的电场公式对液体分子所受到的内电场进行计算,计算得出修正系数K,对洛伦兹关系进行修正,从而得出液体分子排列的有、无序程度及排列方式与折射率的关系。从内电场角度解释热光系数的... 从液体分子结构微观模型出发,首先利用诱导电偶极子的电场公式对液体分子所受到的内电场进行计算,计算得出修正系数K,对洛伦兹关系进行修正,从而得出液体分子排列的有、无序程度及排列方式与折射率的关系。从内电场角度解释热光系数的成因。 展开更多
关键词 液体 折射率 内电场 热光系数
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构筑共轭聚合物基S型异质结分子内和界面电场以实现高效光催化制氢
8
作者 王乐乐 程文瑶 +2 位作者 王嘉鑫 杨娟 刘芹芹 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第3期194-205,共12页
能源短缺与环境问题已成为阻碍社会经济发展的重要因素,并对人类生活质量产生了深远影响,成为重大的全球性挑战.传统的一次能源,如煤、石油和天然气,正面临着日益严重的短缺问题,同时,水体污染日趋严重.因此,迫切需要寻找绿色、可持续... 能源短缺与环境问题已成为阻碍社会经济发展的重要因素,并对人类生活质量产生了深远影响,成为重大的全球性挑战.传统的一次能源,如煤、石油和天然气,正面临着日益严重的短缺问题,同时,水体污染日趋严重.因此,迫切需要寻找绿色、可持续的能源解决方案.其中,利用太阳能进行光解水制氢以及降解水中污染物,被视为一种极具潜力和前景的能源利用方式.然而,目前的光催化剂普遍面临光生载流子容易复合、迁移速率缓慢等问题,这些问题限制了光生电荷的寿命,往往只有几十皮秒,从而降低了其在氧化还原反应中的有效性和光催化效率.因此,开发高效、稳定的光催化剂成为了当前研究的热点和迫切需求.本文报道了一种新型光催化剂的合成与应用.首先,将1,6-二溴芘分子作为富电子供体(D)引入到氮化碳(g-C_(3)N_(4))中,合成了以C‒N键连接的g-C_(3)N_(4)-1,6-二溴芘(CNPy)材料.随后,通过多种手段对样品进行了表征.X射线衍射图谱、傅里叶红外光谱和核磁共振图谱证明了1,6-二溴芘分子的成功引入.氮气等温吸附脱附曲线结果表明,与纯g-C_(3)N_(4)相比,芘基的引入增加了g-C_(3)N_(4)的比表面积,暴露出更多的活性位点.X射线光电子能谱和表面电荷密度测试结果证实了CNPy分子内电场的成功构建.当以铂为助催化剂时,CNPy-0.2(包含200 mg CNPy)表现出较高的光催化产氢性能,产率达到6.1mmol·g^(–1)·h^(–1).在此基础上,为了进一步提升催化性能,将CNPy与具有宽光谱响应范围和匹配能带结构的CdSe纳米颗粒进行复合,构筑了具有双电场(分子内和界面电场)的CdSe/CNPy S型异质结光催化剂.X射线衍射图谱、扫描电子显微镜及透射电子显微镜测试结果证实了CdSe与1,6-二溴芘修饰的g-C_(3)N_(4)的成功复合,且CdSe纳米颗粒(200 nm左右)均匀地分布在CNPy上.此外,通过原位X射线光电子能谱、电子顺磁共振波谱和开尔文探针力显微镜等表征手段证实了S型异质结的形成以及CdSe与CNPy之间存在内建电场.光电化学表征进一步证实了CdSe/CNPy S型异质结具有高效的载流子分离效率.能带结构分析结果表明,该CdSe/CNPy S型异质结在光激发后保留了CNPy的较强氧化能力与CdSe的较强还原能力.在无Pt作助催化剂的情况下,测试了CdSe/CNPy S型异质结的析氢与降解性能.结果显示,优化后的复合材料100%CdSe/CNPy-0.2在光催化产H2反应中,产率高达1.16 mmol·g^(–1)·h^(–1),分别是纯CNPy-0.2,CdSe和100%CdSe/CN的58倍,2.2倍和2.32倍.此外,该S型异质结材料表现出较好的光催化降解四环素性能,在全光谱照射下,降解效率高达97%.多次循环数据显示,该S型异质结材料表现出良好的稳定性.综上所述,本研究通过分子结构设计,在共轭聚合物分子内引入内建电场,并结合异质结界面工程策略,构筑了具有双电场的S型异质结光催化材料.该材料表现出高效的光催化析氢和污染物降解性能,为提升共轭半导体基光催化材料的性能提供了新思路. 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) 分子内电场 界面电场 S型异质结构 光催化剂
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内电场增强S型异质结N-C_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)的制备及其光催化性能 被引量:1
9
作者 徐凯旋 亢玉龙 +3 位作者 高晓明 贺红斌 袁中强 胡亚楠 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期5134-5144,共11页
采用一步水热法使固溶体BiOCl_(x)I_(1−x)静电自组装在N掺杂的氮化碳(N-C_(3)N_(4))表面,制备了NC_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)S型异质结。通过XRD、XPS、SEM、TEM、FTIR、UV-Vis等技术对样品的晶型、形貌、结构、元素组成、表面官能团... 采用一步水热法使固溶体BiOCl_(x)I_(1−x)静电自组装在N掺杂的氮化碳(N-C_(3)N_(4))表面,制备了NC_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)S型异质结。通过XRD、XPS、SEM、TEM、FTIR、UV-Vis等技术对样品的晶型、形貌、结构、元素组成、表面官能团、光学性质等进行了表征,并考察了N-C_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)光催化氧化有机污染物与还原Cr(VI)的活性。结果表明,N-C_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)具有强的光吸收,在N-C_(3)N_(4)与BiOCl_(x)I_(1−x)界面处形成的内电场抑制了电子-空穴对的复合。在可见光照射下,20%N-BiOCl0.5I0.5呈现出优异的光催化活性,2.5 h内苯酚的降解率达到98.53%;1 h内Cr(VI)的还原率达到99.11%。20%N-BiOCl0.5I0.5在5次循环后表现出良好的稳定性。3 h内20%N-BiOCl0.5I0.5可见光降解苯酚的总有机碳(TOC)去除率为80.21%。结合捕获实验、ESR、DFT计算等表明,N-C_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x)活性归因于S型异质结的形成、N-C_(3)N_(4)和BiOCl_(x)I_(1−x)之间的内部电场及能带弯曲和库仑力的存在,加速了光生载流子的空间分离和有序电子流。 展开更多
关键词 光催化 N-C_(3)N_(4)/BiOCl_(x)I_(1−x) 静电自组装 S型异质结 内电场
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内电场与光催化性能调控 被引量:7
10
作者 张玲 苏扬 王文中 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第4期415-427,共13页
光生载流子的高效分离是提升光催化反应效率的重要步骤。近年来,内电场作为提高载流子分离效率的内在驱动力而成为光催化材料研究领域的热点之一。本文综述了国内外通过内电场调控光催化性能的研究动态和主要成果。内电场不仅是电子和... 光生载流子的高效分离是提升光催化反应效率的重要步骤。近年来,内电场作为提高载流子分离效率的内在驱动力而成为光催化材料研究领域的热点之一。本文综述了国内外通过内电场调控光催化性能的研究动态和主要成果。内电场不仅是电子和空穴分离的内在驱动力,而且影响半导体材料费米能级的变化及载流子浓度分布,进而调控了光催化材料导带和价带的弯曲程度及载流子迁移路径。光催化材料内电场的产生机制主要有铁电材料极化、p-n异质结/多晶结、极化表面、晶面间及非线性光学材料内电场等方式,这些方式有效地提高了光生载流子的分离效率,降低电子和空穴复合的几率,从而进一步提高其光催化性能。最后,本文对构建内电场的未来发展趋势进行了展望,并强调了利用先进物理技术并结合理论计算方法来表征内电场的分布及作用的重要性。 展开更多
关键词 内电场 光催化 载流子分离 能带弯曲
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110 kV纵向光学电压互感器的结构优化与设计
11
作者 祝俊男 谭巧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第9期329-336,共8页
光学电压互感器(Optical Voltage Transducer,OVT)是重要的电力系统测量设备。在使用过程中,因碰撞、连接不稳定或温度变化等问题,会导致传感光路或内部锗酸铋(BGO)晶体发生微小偏移。当偏移为0.5°时,所引起的最大积分电压误差可达... 光学电压互感器(Optical Voltage Transducer,OVT)是重要的电力系统测量设备。在使用过程中,因碰撞、连接不稳定或温度变化等问题,会导致传感光路或内部锗酸铋(BGO)晶体发生微小偏移。当偏移为0.5°时,所引起的最大积分电压误差可达0.1%,这对于0.2%的标准要求而言是不可接受的。为了减小偏移带来的误差,并改善BGO晶体内电场的均匀性,文中针对110 kV纵向调制型OVT提出了一种方解石介质分层和氮化铝包裹法,两端采用Φ10 mm×75 mm的方解石对BGO晶体进行分压,并覆盖一层0.5 mm厚的氮化铝来避免与SF6气体直接接触。该结构模型成功解决了其他方法无法解决的晶体或者光路偏移导致的积分电压误差问题。根据仿真结果可知,其偏移误差降低至0.008%以下,并且通过实验所得到图像的标准差提高了35%以上,光强的分布均匀性得到了提高。仿真和实验结果均表明,这种优化改进方案显著提升了OVT的性能和稳定性,为电力系统的精准测量提供了可靠保障。 展开更多
关键词 光学电压互感器 POCKELS效应 内电场分布 电场积分误差
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谈均匀带电球面内外电场分布曲线图的正确画法
12
作者 蒋从元 《四川职业技术学院学报》 2004年第4期111-111,共1页
一般的电磁学教材[1]在讲了高斯定理后都有这样一个例子: 设均匀带电球面的半径为R,所带电量为Q(Q》o),求均匀带电球面内外的场强分布. 解本题时几乎所有教材都是先分析由电荷分布的球对称性,得出电场分布也是球对称的,再利用高斯定理,... 一般的电磁学教材[1]在讲了高斯定理后都有这样一个例子: 设均匀带电球面的半径为R,所带电量为Q(Q》o),求均匀带电球面内外的场强分布. 解本题时几乎所有教材都是先分析由电荷分布的球对称性,得出电场分布也是球对称的,再利用高斯定理,求出面内外的电场分布: 展开更多
关键词 均匀带电球面 内电场 电场 电场分布 曲线图 画图方法 高斯定理
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内电场对纳米硅光致发光谱的影响
13
作者 黄凯 王思慧 +3 位作者 施毅 秦国毅 张荣 郑有炓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1236-1242,共7页
从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率... 从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率 ,仅需考虑发光中心上的载流子复合发光 .还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响 .发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒子的内部发光效率以及外部相应发光中心上的发光强度 。 展开更多
关键词 内电场 纳米硅 光致发光谱 量子限制发光中心 载流子复合率 发光强度
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Superposition of dual electric fields in covalent organic frameworks for efficient photocatalytic hydrogen evolution
14
作者 Chao Li Shuo Wang +8 位作者 Yuan Liub Xihe Huang Yan Zhuang Shuhong Wu Ying Wang Na Wen Kaifeng Wu Zhengxin Ding Jinlin Long 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第8期164-175,共12页
Covalent organic frameworks(COFs)are promising materials for converting solar energy into green hydrogen.However,limited charge separation and transport in COFs impede their application in the photocatalytic hydrogen ... Covalent organic frameworks(COFs)are promising materials for converting solar energy into green hydrogen.However,limited charge separation and transport in COFs impede their application in the photocatalytic hydrogen evolution reaction(HER).In this study,the intrinsically tunable internal bond electric field(IBEF)at the imine bonds of COFs was manipulated to cooperate with the internal molecular electric field(IMEF)induced by the donor-acceptor(D-A)structure for an efficient HER.The aligned orientation of IBEF and IMEF resulted in a remarkable H_(2) evolution rate of 57.3 mmol·g^(-1)·h^(-1)on TNCA,which was approximately 520 times higher than that of TCNA(0.11 mmol·g^(-1)·h^(-1))with the opposing electric field orientation.The superposition of the dual electric fields enables the IBEF to function as an accelerating field for electron transfer,kinetically facilitat-ing the migration of photogenerated electrons from D to A.Furthermore,theoretical calculations indicate that the inhomogeneous charge distribution at the C and N atoms in TNCA not only pro-vides a strong driving force for carrier transfer but also effectively hinders the return of free elec-trons to the valence band,improving the utilization of photoelectrons.This strategy of fabricating dual electric fields in COFs offers a novel approach to designing photocatalysts for clean energy synthesis. 展开更多
关键词 Covalent organic framework Internal molecular electric field Internal bond electric field PHOTOCATALYSIS Hydrogen evolution
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含半无限长裂纹压电材料的Ⅲ型强度因子 被引量:4
15
作者 刘淑红 郭增强 邹振祝 《中国安全科学学报》 CAS CSCD 2003年第9期62-64,共3页
研究了含半无限长裂纹压电材料在平面内电场和反平面荷载作用下的问题 ,得到了满足拉普拉斯方程、裂纹面边界条件的位移函数解和电势函数解及电弹场的基本解 ,并得到了应力、应变、电位移强度因子和能量释放率。研究结果表明 ,在裂尖 ,... 研究了含半无限长裂纹压电材料在平面内电场和反平面荷载作用下的问题 ,得到了满足拉普拉斯方程、裂纹面边界条件的位移函数解和电势函数解及电弹场的基本解 ,并得到了应力、应变、电位移强度因子和能量释放率。研究结果表明 ,在裂尖 ,电场强度没有奇异性 ,而应变、应力、电位移具有奇异性。 展开更多
关键词 压电材料 反平面半无限长裂纹 强度因子 平面内电场 反平面荷载 应变 应力 电位移
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含非圆孔无限压电介质的动力反平面特性研究
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作者 宋天舒 郑华勇 +1 位作者 李辉 刘殿魁 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期709-713,共5页
利用复变函数与保角映射法对稳态SH波在含非圆孔压电介质中的散射和动应力集中问题进行研究,获得了应力场、电场对入射波强度、外加电场的依赖关系,得到了压电介质中任意形状孔洞周边的动应力及电场强度的表达式。作为算例,对具有不同... 利用复变函数与保角映射法对稳态SH波在含非圆孔压电介质中的散射和动应力集中问题进行研究,获得了应力场、电场对入射波强度、外加电场的依赖关系,得到了压电介质中任意形状孔洞周边的动应力及电场强度的表达式。作为算例,对具有不同压电特征参数和不同波数情况下的含椭圆形孔洞压电介质的孔边洞应力集中系数和电场集中系数进行了数值计算.计算结果表明,孔边界动应力对外加电场压电参数具有线性依赖关系,对于含椭圆形孔的无限压电介质进行低频和大压电特征参数情况下的动力分析是非常重要的. 展开更多
关键词 压电介质 非圆孔 反平面剪切波与平面内电场 复变函数与保角映射 动应力集中
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电荷所受电力的两种表述形式
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作者 高炳坤 《物理与工程》 2007年第1期22-24,共3页
论证了F_e=∫_VE_外ρ_edV=∫_VE_总ρ_edV,并讨论了何时用哪个积分式方便.
关键词 电场 内电场 电场
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ANbO_(3)(A=K、Na、Ag)材料光催化性能研究进展 被引量:2
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作者 刘小雪 蔡苇 +3 位作者 黄瑞 王振华 高荣礼 符春林 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期1-6,共6页
ANbO_(3)(A=K,Na,Ag)材料因具备相对较小的带隙、铁电性、压电性,是重要的光催化材料,在光催化领域已得到较为广泛的应用。综述了铌酸盐材料光催化性能研究进展,着重介绍了KNbO_(3)、NaNbO_(3)、AgNbO_(3)光催化性能改进的策略和机理,... ANbO_(3)(A=K,Na,Ag)材料因具备相对较小的带隙、铁电性、压电性,是重要的光催化材料,在光催化领域已得到较为广泛的应用。综述了铌酸盐材料光催化性能研究进展,着重介绍了KNbO_(3)、NaNbO_(3)、AgNbO_(3)光催化性能改进的策略和机理,并提出了铌酸盐光催化材料未来发展的机遇和发展方向。 展开更多
关键词 铌酸盐 光催化性能 电子-空穴对复合率 极化工程 内电场
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电子辐照下接地方式及工作电压对聚醚酰亚胺内带电特性的影响
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作者 尚鹏辉 张博 +3 位作者 王鹏 郑晓泉 贺博 乌江 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期154-161,共8页
为了探究高能电子辐照下接地方式及高工作电压与沉积电荷共同作用对介质内部充电性能的影响,提出了一种三维介质内带电评估方法。首先采用Geant4软件模拟高能电子与介质的作用过程得到对应的电荷沉积速率及剂量率,再通过有限元方法求解... 为了探究高能电子辐照下接地方式及高工作电压与沉积电荷共同作用对介质内部充电性能的影响,提出了一种三维介质内带电评估方法。首先采用Geant4软件模拟高能电子与介质的作用过程得到对应的电荷沉积速率及剂量率,再通过有限元方法求解三维电荷输运方程得出介质内的电场分布,最后以聚醚酰亚胺为研究对象,计算了不同接地方式、工作电压下介质内电场分布。结果表明:电子辐照下,接地方式主要影响接地面积及沉积电荷到接地侧的最大传输距离;增大接地面积、减小电荷传输距离能有效降低介质内电场强度。工作电压对介质内电场的影响取决于施压方式及电压,当工作电压从100 V增大到5000 V,样品正面悬浮、底面加压(S-V_(S))或正面加压、底面悬浮(V_(S)-S)时,介质内电场强度最大值相差不大且均不随工作电压变化,稳定在3.04×10^(7) V/m;样品正面接地、底面加压(G-V_(S))时,内电场强度最大值从2.1×10^(7) V/m减小至1.78×10^(7) V/m,而正面加压、底面接地(V_(S)-G)时,最大电场则从2.11×10^(7) V/m增大到2.50×10^(7) V/m。综上,高工作电压下可以增大聚醚酰亚胺样品的接地面积并采用正面接地、底面加压的施压方式来降低其内部放电风险。 展开更多
关键词 高能电子辐照 介质内带电 接地方式 内电场强度
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CuW75合金电腐蚀性能的研究
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作者 赵伟鹏 肖鹏 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2013年第1期66-69,共4页
以CuW75合金为研究对象,对不同粒径W粉制备的CuW75合金进行真空电击穿实验,记录电击穿相关数据,并采用扫描电镜对试样的组织和击穿形貌进行观察分析。结果表明,与粗晶CuW75合金相比,细晶CuW75合金经电击穿测试后,电弧烧蚀程度更轻,耐电... 以CuW75合金为研究对象,对不同粒径W粉制备的CuW75合金进行真空电击穿实验,记录电击穿相关数据,并采用扫描电镜对试样的组织和击穿形貌进行观察分析。结果表明,与粗晶CuW75合金相比,细晶CuW75合金经电击穿测试后,电弧烧蚀程度更轻,耐电压强度增加了1.27×107V/m、截流值降低了0.33 A,且燃弧时间也延长了0.51 ms,表现了更明显的内电场影响效果和更优良的抗电腐蚀性能。 展开更多
关键词 CuW75合金 真空电击穿 耐电压强度 击穿形貌 内电场
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