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新型垂直腔面发射激光器的研制
被引量:
2
1
作者
冯源
刘国军
+5 位作者
郝永芹
王勇
晏长岭
赵英杰
芦鹏
李洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期831-835,共5页
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,...
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。
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关键词
内腔接触式电极
半导体激光器
垂直
腔
面发射激光器
阈值电流
光电特性
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职称材料
题名
新型垂直腔面发射激光器的研制
被引量:
2
1
作者
冯源
刘国军
郝永芹
王勇
晏长岭
赵英杰
芦鹏
李洋
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期831-835,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61376045)
吉林省自然科学基金资助项目(201215134)
文摘
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。
关键词
内腔接触式电极
半导体激光器
垂直
腔
面发射激光器
阈值电流
光电特性
Keywords
intra-contact electrode
semiconductor laser
vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)
threshold current
optoelectronic characteristics
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型垂直腔面发射激光器的研制
冯源
刘国军
郝永芹
王勇
晏长岭
赵英杰
芦鹏
李洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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