基于串口的基线PIC单片机内部振荡器的重新校准

基线PIC单片机多数都有内部振荡器。对于时间敏感型应用,如果丢失内部振荡器校准值,就必须对振荡器进行重新校准。本文以PIC10F202为例,研究了一种基于异步串行通信原理,利用接收端的时钟信号,对基线PIC单片机的内部振荡器进行重新校准的方法。该方法简单实用,不用设计复杂的外部电路,也不需要使用信号源、示波器或频率计。实际测试表明,校准精度满足出厂参数要求。此外,该方法还可在单片机的允许振荡频率范围内将振荡器频率标定为某一特定频率值。

一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法

MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义。通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中引入有源区损伤,进而使器件的实际电性参数偏离预期值,最后使低温条件下HRC频率精度降低。本文通过在晶圆的制作工艺中,增加浅沟槽隔离化学机械研磨步骤后氮化硅剩余厚度来减少大块浅沟槽隔离区域的碟形化,同时在多晶硅光刻步骤中减少抗反射涂层厚度去改善抗反射涂层厚度的均一性,最后在多晶硅蚀刻步骤中相应的减少蚀刻时间去避免过蚀刻,进而可以有效地改善有源区损伤。通过这种工艺优化方式,低温晶圆级探针(CP)测试时HRC频率精度分布更集中并且接近目标频率,有效提升了在低温条件下HRC的频率精度,晶圆边缘HRC良率提升可以达到1%。