基于ECT的聚合物锂电池组内部电容率检测装置设计

针对聚合物锂电池组温度分布均匀性难以全面、准确评估的问题,应用电容层析成像检测电池组内部电容率以间接实现电池组温度分布均匀性评估,并开发聚合物锂电池组内部电容率检测装置。该装置利用高频交流信号激励ECT传感器,C/V转换电路将电容转换为成正比的电压,经过信号调理后,上位机获得电池组内部电容率分布。实验结果表明测量装置重复测量误差在0.068 63 n F/m以内,电容率的分布呈现对称性,与电池组的内部构造相吻合,装置具有良好的重复性和可靠性。

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型

Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管的栅极电容由本征电容和边缘电容组成.边缘电容分为外部边缘电容和内部边缘电容,内部边缘电容相比外部边缘电容对器件的开关转换特性更为敏感.本文基于内部边缘电容的形成机理,推导了内部边缘电容C_(ifs/d)模型,进一步的分析表明,其与器件的栅极偏置强相关;基于WardDutton电荷分配原则推导了相应的本征电容模型,最后结合外部边缘电容得到了完整的栅极电容模型.由于边缘电容是由器件结构产生的寄生电容,仿真结果表明,若不考虑边缘电容的影响,栅源电容的误差可达80%以上,而栅漏电容的误差可达65%以上.因此,在高频开关应用领域,边缘电容对栅极电容的影响不可忽略.

CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理

针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明：加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方（BCC）类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器（IBLC）所致。在较低温度下（〈1 100℃）烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。

差分CVD技术的触摸按键设计

针对目前市场上专用电容感应按键模块存在的成本高、应用时兼容性问题多的问题,利用MCU的AD转换原理,采用很少的器件实现电容触摸按键的设计。该产品设计简单、成本低、抗干扰强,很适合推广应用。

变频电机轴承损坏原因及预防措施分析

由于高频的共模电压在逆变器电机定子绕组中产生,电机系统中会产生轴电流轴电压,是导致轴承损坏的主要原因,对电气拖动系统的安全性和可靠性产生严重影响。本文通过电机轴承损坏原因分析,介绍了轴电流的危害,阐述了轴电流的种类、形成原因,并提出了预防措施,避免轴电流对轴承的损坏。

Effects of Flicker in a Distribution Grid with High PV Penetration

The quantity of installed PV （photovoltaic） systems in the German distribution grid is still increasing. In some areas, the installed PV capacity exceeds 5 kW per HC （house connection）. Therefore, the load flow changes its characteristics and leads to new requirements for the grid. In some areas, the power feedback is higher than the delivery and the installed PV capacity becomes the decisive factor for grid planning. This paper discusses the impact of PV systems on the flicker level. The focus hereby is on the correlation among the flicker level, the grid voltage and the meteorological parameters. Different approaches to investigate if there is an influence of PV systems on the maximum flicker are taken into account. Furthermore, an investigation if the normative limit is exceeded will be shown.

成型压力对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料介电/压敏性能的影响

采用固相反应法,选取不同压坯成型压力（11-800 MPa）制备了CaCu3Ti4O12陶瓷系列样品。利用X射线衍射、Raman光谱以及扫描电子显微镜研究了成型压力对体系晶体结构和微观形貌的影响,并利用内部阻挡层电容器模型解释了成型压力改变所引起的微观结构变化对体系电性能的影响机理。结果表明在所选成型压力范围内体系未发生结构相变,但其微观形貌却明显受到成型压力的影响;当成型压力大于600 MPa时,样品中大晶粒的出现会提高其介电常数;而成型压力为200 MPa时,样品晶界处肖特基势垒的提高可改善其压敏性能。