CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理

针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明：加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方（BCC）类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器（IBLC）所致。在较低温度下（〈1 100℃）烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。

解析一款超小型电动自由飞模型飞机

1．双层超级电容（DCL）介绍 该电动自由飞模型飞机采用了双层超级电容代替电池为电机供电。所谓双层超级电容实际上是一种静电型能量储存器，用附着在两条铝箔上的活性碳膜作为正负电极（内部结构如图2）。超级电容器的单体容量超过传统电解电容器的1000倍以上，因此可以利用双层超级电容器进行大电量的储能。

成型压力对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料介电/压敏性能的影响

采用固相反应法,选取不同压坯成型压力（11-800 MPa）制备了CaCu3Ti4O12陶瓷系列样品。利用X射线衍射、Raman光谱以及扫描电子显微镜研究了成型压力对体系晶体结构和微观形貌的影响,并利用内部阻挡层电容器模型解释了成型压力改变所引起的微观结构变化对体系电性能的影响机理。结果表明在所选成型压力范围内体系未发生结构相变,但其微观形貌却明显受到成型压力的影响;当成型压力大于600 MPa时,样品中大晶粒的出现会提高其介电常数;而成型压力为200 MPa时,样品晶界处肖特基势垒的提高可改善其压敏性能。