芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理。碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制...芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理。碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜。该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格。该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本。展开更多
文摘芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理。碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜。该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格。该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本。