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反溅射再淀积现象研究
被引量:
1
1
作者
陈华伦
《微电子技术》
1996年第1期46-48,共3页
本文对经反溅射(Sputter-etch)处理的Al片,进行SEM剖面观察,发现了反溅射的再淀积现象,对再淀积现象做了对比实验。
关键词
反溅射
再淀积现象
集成电路
超大规模
下载PDF
职称材料
反溅射再淀积现象的探讨
2
作者
杨文
陈海峰
+1 位作者
严玮
毛志军
《微电子技术》
1997年第5期57-59,共3页
本文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试,验证了反溅射再淀积现象的存在,并通过对比实验,分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响。
关键词
反溅射
再淀积现象
超大规模
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
反溅射再淀积现象研究
被引量:
1
1
作者
陈华伦
机构
华晶电子集团公司中央研究所
出处
《微电子技术》
1996年第1期46-48,共3页
文摘
本文对经反溅射(Sputter-etch)处理的Al片,进行SEM剖面观察,发现了反溅射的再淀积现象,对再淀积现象做了对比实验。
关键词
反溅射
再淀积现象
集成电路
超大规模
分类号
TN470.592 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
反溅射再淀积现象的探讨
2
作者
杨文
陈海峰
严玮
毛志军
机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《微电子技术》
1997年第5期57-59,共3页
文摘
本文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试,验证了反溅射再淀积现象的存在,并通过对比实验,分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响。
关键词
反溅射
再淀积现象
超大规模
集成电路
分类号
TN470.592 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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1
反溅射再淀积现象研究
陈华伦
《微电子技术》
1996
1
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职称材料
2
反溅射再淀积现象的探讨
杨文
陈海峰
严玮
毛志军
《微电子技术》
1997
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