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一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源
1
作者
王懋伟
杨虹
《电子质量》
2011年第2期5-7,16,共4页
该文依据带隙基准的基本原理设计一基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃~-125℃,温度系数为24×10-6V/℃。增加基于冗余晶体管的启动电...
该文依据带隙基准的基本原理设计一基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃~-125℃,温度系数为24×10-6V/℃。增加基于冗余晶体管的启动电路电流仅为1-2uA,具有较小的功耗,较好的可靠性。常温下的输出电压为1.25V,电源电压为3.3V-5.0V,达到了一般的应用要求。
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关键词
带隙基准
非线性二阶补偿
冗余晶体管
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职称材料
题名
一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源
1
作者
王懋伟
杨虹
机构
重庆邮电大学光电工程学院
出处
《电子质量》
2011年第2期5-7,16,共4页
基金
重庆市教委科学技术研究项目(KJ100512)
重庆市自然科学基金项目(CSTC2010BB2412)
文摘
该文依据带隙基准的基本原理设计一基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃~-125℃,温度系数为24×10-6V/℃。增加基于冗余晶体管的启动电路电流仅为1-2uA,具有较小的功耗,较好的可靠性。常温下的输出电压为1.25V,电源电压为3.3V-5.0V,达到了一般的应用要求。
关键词
带隙基准
非线性二阶补偿
冗余晶体管
Keywords
bandgapreference
the second order nonlinear compensation
redundancy transistors
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源
王懋伟
杨虹
《电子质量》
2011
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