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一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源
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作者 王懋伟 杨虹 《电子质量》 2011年第2期5-7,16,共4页
该文依据带隙基准的基本原理设计一基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃~-125℃,温度系数为24×10-6V/℃。增加基于冗余晶体管的启动电... 该文依据带隙基准的基本原理设计一基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃~-125℃,温度系数为24×10-6V/℃。增加基于冗余晶体管的启动电路电流仅为1-2uA,具有较小的功耗,较好的可靠性。常温下的输出电压为1.25V,电源电压为3.3V-5.0V,达到了一般的应用要求。 展开更多
关键词 带隙基准 非线性二阶补偿 冗余晶体管
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