期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
6-T CMOS SRAM单元稳定性分析及设计优化 被引量:2
1
作者 蔡洁明 魏敬和 +2 位作者 刘士全 胡水根 印琴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期261-272,共12页
介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据保持和数据读取时的稳定性、数据写入过程中的可靠性及其之间的... 介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据保持和数据读取时的稳定性、数据写入过程中的可靠性及其之间的关系进行了深入研究。对可能影响噪声容限的因素,如单元比、上拉比、MOS管的阈值电压、位线预充电压、电源电压以及温度进行了仿真讨论,并从中得到合适的电路设计参数。流片结果表明,理论分析与实测数据相符。分析数据对基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的SRAM电路设计优化具有指导作用。 展开更多
关键词 6-T存储单元 噪声容限 读稳定性 写可靠性 设计优化
下载PDF
3D图形处理器API符合性验证方法关键技术研究 被引量:3
2
作者 刘晖 田泽 +1 位作者 黎小玉 陈佳 《计算机技术与发展》 2014年第10期193-196,201,共5页
3D图形API(Application Programming Interface,应用程序编程接口)是三维图形处理函数接口的简称,它将图形系统的上层应用程序和底层驱动隔离,使得应用软件具有良好的可移植性。OpenGL(Open Graphics Library,开放图形接口库)是为了规... 3D图形API(Application Programming Interface,应用程序编程接口)是三维图形处理函数接口的简称,它将图形系统的上层应用程序和底层驱动隔离,使得应用软件具有良好的可移植性。OpenGL(Open Graphics Library,开放图形接口库)是为了规避不同硬件驱动而定义的与上层接口的标准库函数。如何开发出符合OpenGL标准的API,是3D图形处理器研制及应用的关键。首先系统分析了OpenGL标准API的属性,提出了自研3D图形处理器API与OpenGL标准API符合性验证关键技术,基于FPGA平台从函数的接口参数、绘图功能、显示功能和错误反馈处理这四个方面来验证。上述验证方法具有很强的操作性,验证覆盖范围更广,验证用例的设计更为复杂。该方法加速了验证过程,提高了验证的充分性。 展开更多
关键词 OpenGL核心库 标准符合性验证 写可靠性 功能完整性 鲁棒性
下载PDF
1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计 被引量:1
3
作者 谭玥 杜永乾 +1 位作者 李桂芳 刘诗斌 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期20-27,共8页
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进... 使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进,通过增加写入支路上晶体管的数量来增加写入电流及降低基本存储单元(1T1MTJ)结构中晶体管的压降,有效地缩短了磁隧道结翻转过程的开关延迟时间,提高了写入驱动电路的工作速度;读取电路采用改进的三稳态传输结构,降低了电路功耗,提高了读取数据的准确性.最后设计实现了1Kb的STT-MRAM的非易性存储,仿真结果表明所设计的STT-MRAM能够实现数据的存取过程. 展开更多
关键词 磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性电路
原文传递
Low power and high write speed SEU tolerant SRAM data cell design 被引量:1
4
作者 WANG Li ZHANG GuoHe +1 位作者 ZENG YunLin SHAO ZhiBiao 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期1983-1988,共6页
As feature size scales down, reliability issues like single event upset(SEU) have become serious for circuit and system designers, especially for those who work on memory and latch designs. In this paper, an improved ... As feature size scales down, reliability issues like single event upset(SEU) have become serious for circuit and system designers, especially for those who work on memory and latch designs. In this paper, an improved SEU tolerant data cell design based on the Quatro-10 T cell is proposed. The introduced cell enhances the capability of SEU tolerance by weakening the key transistors in the feedback loop to block the effects of transient fault. Simulation results show that our proposed design achieves obvious higher resilience to SEU and better performance on speed and power dissipation at the expense of an increased area. The proposed cell is a fully SEU immune design with an amount of critical charge at least 7 times more than the Quatro-10 T cell and has the lowest Power Delay Product. It shows that our design is very suitable in high-performance circuit and system design. 展开更多
关键词 single event upset SRAM low power high speed
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部