PLX9054对SRAM读写及DMA操作

介绍PLX9054的初始化,在M模式下PLX9054对512K SRAM的读写以及DMA传输的实现,并给出HP54645综合示波器测得的数据读写波形。

农村“治未病”预防保健系统分级存储模型构建

针对农村"治未病"预防保健系统中数据呈现较强的访问冷热性和读写周期性特征,构建多种媒介分级存储模型,同单一媒介存储相比,能够在保证系统性能的情况下降低存储成本,进而减少开发和维护费用,便于普及推广。

PCI总线I/O时序波形观测及分析

重点介绍了一种测量PCI总线I/O写时序波形的技术及分析方法。制作测试板,编写测试程序,用TDS-210型存储示波器对夏华状元一族主板PCI写周期的时序波形进行测试,用Wavestar for Oscillose软件将泰克示波器测试的波形转换为.CSV数据文件,采用Origin6.0 Professional软件对该时序波形进行分析,给出了实测波形的分析结果。采用这种测试I/O写时序波形的方法是可行的,对于研究PCI总线的时序波形提供了一种有效的方法。

新型CMOS实时时钟芯片MSM6242简介

ＭＳＭ６２４２是一种新型直接总线式ＣＭＯＳ实时时钟／日历芯片，特别适合于智能仪器仪表的使用。本文详细介绍了它的功能特点以及使用方法．

富士通发布业界最佳运行功耗的64Kbit FRAM MB85RC64T样品

富士通电子元器件(上海)有限公司今宣布推出业界最低运行功耗的64Kbit FRAM MB85RC64T样品。富士通利用FRAM非易失性、快速写入、高读写耐力及低功耗等特性,将其应用于可穿戴设备市场和Io T市场的无电池解决方案。目前为了满足低功耗市场的需求,富士通开发出其FRAM产品系列中具备最低运行电流的64Kbit FRAM—MB85RC64T(图1)。该产品采用I2C接口,能以1.8V^3.6V的电源电压及最高3.4MHz的频率运行。

富士通推出-55℃操作运行的64-Kbit FRAM

适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内存能在-55℃中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产供货。此款产品支持1.8V至3.6V的极广范围电源电压。其工作温度更是超越竞争对手,最低达到-55℃。由于它能在运行温度范围内保证10兆次的读/写周期。

基于FPGA的FLASH存储板的CPCI接口设计

介绍FLASH存储板上基于FPGA实现CPCI接口的方案,其中包括从模式下单周期读写和主模式下DMA的实现。最后结合开发实例,介绍了如何开发PCI接口的DMA驱动程序。

基于PCI9054的数据采集卡的设计与实现

介绍了采用PCI9054实现PCI接口数据采集卡的设计方案及实现,其中包括从模式下单周期读写和主模式下DMA的实现。结合开发实例,介绍了如何开发PCI接口的DMA驱动程序。

“窝伏尔”铁模式存储器

贝尔电话实验室已制成一种很象烤制窝伏尔(Wa-ffle)饼用的小型铁模式新型磁存储器件。由于这种存储器件具有一般磁存储器的单位最短的存储通路,共结构异常紧凑,并能以低功率高速运行。这种新型存储器件对于读写周期小于1微秒的大容量经济存储器来说格外有用。对于目前由铁氧体磁心和薄膜制成的计算机和开关系统来说,这种存储器看来是很有发展前途的。最初的“窝伏尔”铁模式存储设备是 James·L·

基于FPGA的数据采集卡的CPCI接口设计

该文介绍了高速数据采集卡上基于FPGA实现CPCI接口的方案,其中包括从模式下单周期读写和主模式下DMA的实现。最后结合开发实例,介绍了如何开发PCI接口的DMA驱动程序。