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冠醚除钠的局限性
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作者 吴应前 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期37-38,共2页
本文分析了冠醚分子在SiO_2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na^+沾污,对SiO_2层深处的Na^+并无作用.
关键词 半导体器件 清洗 冠醚除钠 SIO2
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