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冠醚除钠的局限性
1
作者
吴应前
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期37-38,共2页
本文分析了冠醚分子在SiO_2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na^+沾污,对SiO_2层深处的Na^+并无作用.
关键词
半导体器件
清洗
冠醚除钠
SIO2
下载PDF
职称材料
题名
冠醚除钠的局限性
1
作者
吴应前
机构
四川大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期37-38,共2页
文摘
本文分析了冠醚分子在SiO_2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na^+沾污,对SiO_2层深处的Na^+并无作用.
关键词
半导体器件
清洗
冠醚除钠
SIO2
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
冠醚除钠的局限性
吴应前
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993
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