基于Al-Si合金熔体的冶金级硅纯化新工艺

为了提高冶金级硅的纯度,本文研究了Al对去除冶金级硅中金属杂质的作用。结果表明,以工业Si和工业Al为原料,通过Al-Si合金化和酸浸除杂相结合制备Si材料,将Al-Si合金破碎成一定尺寸的颗粒,然后采用氢氧化钠溶液、氢氟酸和盐酸溶液顺序腐蚀去除Al和其他杂质,最终获得纯度为99.91%的Si颗粒。结合扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线荧光光谱(XRF)等分析手段,对腐蚀前后材料的微观结构和杂质含量的变化进行研究,初步探讨了冶金级Si经过Al-Si合金熔炼更有利于除杂的原理。

低质量Si材料制备太阳电池

通过对比不同硼-磷(B-P)补偿程度的低成本、高杂质含量硅材料制备的太阳电池的性能,发现在含B和其它杂质含量都比较高的Si材料中通过掺入P补偿过多的B可以提高低质量Si片的电阻率、增加少数载流子寿命从而提高电池效率同时还能够减少电池性能的衰减。利用低质量Si材料(B含量2×10-6wt)制作出了效率达到14%左右的大面积太阳电池。