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冷发射电子束掺杂磷 被引量:2
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作者 李秀琼 王培大 +1 位作者 马祥彬 王纯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期942-945,共4页
一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。
关键词 冷发射电子束 掺杂 集成电路
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