冷发射电子束掺杂磷

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。

关于匀强电场中金属导体冷发射效应的讨论

本文分别从经典电动力学和量子理论两个角度对处在匀强电场中电子从金属表面逸出,即冷发射效应作了定性和定量的讨论,通过计算推导得到冷发射效应的电子流密度与电子自身能量E及外电场的关系式。