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准一维纳米线电子输运的梯度无序效应 被引量:4
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作者 段玲 胡飞 丁建文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期560-564,共5页
考虑实际体系的梯度无序和结散射,发展格林函数矩阵分解消元方法,研究了准一维纳米线的电子输运性质.结果表明,由于结散射,电导随能量呈现振荡行为,无序的引入破坏了电子相干性,在低无序度区平均电导呈现异常增加,呈现一个新的电导峰.... 考虑实际体系的梯度无序和结散射,发展格林函数矩阵分解消元方法,研究了准一维纳米线的电子输运性质.结果表明,由于结散射,电导随能量呈现振荡行为,无序的引入破坏了电子相干性,在低无序度区平均电导呈现异常增加,呈现一个新的电导峰.当表面存在无序但无梯度衰减时,体系的平均电导随无序度增强先减后增,出现类局域—退局域性转变.当表面无序线性衰减时,平均电导在强无序区稍有增加,而当表面无序高斯型衰减时,平均电导指数衰减,类局域—退局域性转变消失,不同于以前的理论预言.研究结果对准一维纳米线电子器件的结构设计和应用有指导作用. 展开更多
关键词 准一维纳米线 梯度无序 电子输运
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