准一维纳米材料制备方法的研究现状和发展趋势

本文介绍了准一维纳米结构所包含的一些基本概念以及在纳米科技中的重要地位。系统综述了近年来准一维纳米结构在制备方法方面的研究进展,并展望了其未来研究的发展方向。这对于目前准一维纳米结构的研究选题、方法借鉴都有重要的参考价值和指导意义。

气相法制备半导体ZnS一维纳米结构的研究进展

一维纳米材料(纳米管、纳米线、纳米带、纳米锯等)具有特异的物理、化学性质,并在未来纳米器件中具有潜在的应用价值,因此成为纳米材料领域中的研究热点。Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnS是一种重要的光电、发光和激光材料。对半导体ZnS一维纳米结构的合成方法、晶体结构、生长机制作了详细的论述。同时,对ZnS一维纳米结构的未来研究方向和应用作了展望。

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。

单根Ag(TCNQ)微/纳米结构的光致变色特性研究

利用溶液化学反应法制备了准一维微/纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ);X射线衍射(XRD)表明所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察表明Ag(TCNQ)为准一维的微/纳米管或线。首先在自行研制的材料光学性能测试系统上对单根Ag(TCNQ)的光致变色特性进行测试,激光照射后颜色由深蓝变黄;然后利用显微Raman光谱仪对其光致变色机理进行了研究,激光照射后的光谱图中出现了明显的TCNQ分子的特征中性峰。如照射时间较长,超过30s,则TCNQ分子特征峰又消失。因此Raman测试结果证明单根Ag(TCNQ)微/纳米结构具有明显可逆的光致变色特性。

氧化镓纳米带的制备研究

纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。

超长SnO_2纳米带的制备及表征的研究

本文以锡粉为原料,采用化学气相沉积法制备了SnO2纳米带.SnO2纳米带的制备在高温加热炉中进行,加热温度为1 000℃.X射线衍射(XRD)分析表明,所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析表明,所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带.选区电子衍射(SAED)结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶.通过对其生长过程及机理分析可知,SnO2纳米带的生长是由气—固生长机制来控制的.

无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带

通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构。合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米。同时对纳米带的生长机制作了详细讨论。

Effects of temperature and pressure on morphologies of quasi-one-dimensional ZnO nanostructures fabricated via thermal evaporation

Quasi one-dimensional zinc oxide nanomaterials were synthesized by thermal evaporation. The structure, morphologies and composition of ZnO nanomaterials prepared under different conditions were studied by XRD, TEM, SEM and EDX. The morphologies are strongly sensitive to the temperature and the pressure during growth, including nanowires, nanobelts, nanocombs and pyramidal-like nanomaterials.