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全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型 被引量:5
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作者 吴秀龙 陈军宁 柯导明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第11期17-20,共4页
通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值... 通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值电压与沟道浓度、长度、SOI硅膜层厚度以及栅氧化层厚度的关系,并且发现ΔVth与背栅压的大小无关。 展开更多
关键词 SOI LDMOS 阈值电压 准二维方法
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Fractal characteristics of far-field diffraction patterns for two-dimensional Thue-Morse quasicrystals
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作者 阳明仰 周骏 +2 位作者 L Petti S De Nicola P Mormile 《Optoelectronics Letters》 EI 2011年第5期346-349,共4页
We report a numerical method to analyze the fractal characteristics of far-field diffraction patterns for two-dimensional Thue-Morse (2-D TM) structures. The far-field diffraction patterns of the 2-D TM structures can... We report a numerical method to analyze the fractal characteristics of far-field diffraction patterns for two-dimensional Thue-Morse (2-D TM) structures. The far-field diffraction patterns of the 2-D TM structures can be obtained by the numerical method, and they have a good agreement with the experimental ones. The analysis shows that the fractal characteristics of far-field diffraction patterns for the 2-D TM structures are determined by the inflation rule, which have potential applications in the design of optical diffraction devices. 展开更多
关键词 Diffraction patterns Fractals INTERFEROMETRY Two dimensional
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