准分子激光刻蚀聚碳酸酯材料研究

准分子激光刻蚀聚合物一般认为是由于聚合物材料吸收光子能量而升温,同时分子链上的 化学键也会因吸收光子能量而断裂。本文在讨论分析了准分子激光烧蚀聚合物机理的基础上,通过对不同能量密度情况下得到的不同烧蚀深度的实验结果进行分析计算,得出聚碳酸酯(PC)材料对波长248nm激光的吸收系数为4.17×104cm-1,能量阈值为49.8 mJ/cm2。

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。

用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。

21世纪微电子光刻技术

介绍了２４８ｎｍ，１９３ｎｍ。

微光刻技术的发展

阐述了光刻技术的发展及其分辨极限 ,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。

接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析

根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。

氟化钙晶体的生长和应用研究

CaF2晶体作为一种传统晶体材料,应用十分广泛。文中综合介绍了CaF2晶体在深紫外光刻机的光学元件、激光晶体和被动Q开关三个领域的应用现状及趋势,归总了CaF2晶体具有的优异性能,阐述了CaF2晶体与深紫外准分子激光之间的作用,晶体结构对激光性能的影响,晶体生长和加工等诸多方面的研究进展。

微细加工技术与设备

TN305 99032028用于准分子激光微细加工的高能量效率多重反射光学系统和装置的实验研究=Experimental study ofhigh efficiency multi-reflective systems and equipmentfor excimer laser ultra-microfabrication[刊,中]/向世清,楼祺洪,丁爱臻,魏运荣。

微细加工技术与设备

TN305.7 99021338波前工程与光学超分辨=Wavefront engineeringand optical super resolution[刊,中]/韩安云(电子工业部第13研究所.河北,石家庄(050051))//半导体情报.—1998,35(3).—1-17对光学曝光技术的主要进展、波前工程概念和实现光学超分辨的基本途径等进行了论述。图28表4参50(赵桂云)TN305.7 99021339Φ3英寸GaAs 0.5 μm准分子激光光刻技术=Excimerlaser photoetching technique with Φ3 inGaAs 0.5 μm[刊,中]/刘玉贵,尚秀红,陈沐章。

光刻机系统中193nm薄膜的研究进展

193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。

制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

Y2002-63128 02128342001年第6届等离子体及处理感应损伤会议录=2001 6th international symposium on plasma-and process-induced damage[会,英]/American Vacuum Society &IEEE Electron Devices Society.—2001.—128P.(E)本会议录收集了于2001年5月13～15日在加州Monterey