微光刻技术的发展

阐述了光刻技术的发展及其分辨极限 ,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。

接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析

根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。

21世纪微电子光刻技术

介绍了２４８ｎｍ，１９３ｎｍ。

氟化钙晶体的生长和应用研究

CaF2晶体作为一种传统晶体材料,应用十分广泛。文中综合介绍了CaF2晶体在深紫外光刻机的光学元件、激光晶体和被动Q开关三个领域的应用现状及趋势,归总了CaF2晶体具有的优异性能,阐述了CaF2晶体与深紫外准分子激光之间的作用,晶体结构对激光性能的影响,晶体生长和加工等诸多方面的研究进展。

微细加工技术与设备

TN305 99032028用于准分子激光微细加工的高能量效率多重反射光学系统和装置的实验研究=Experimental study ofhigh efficiency multi-reflective systems and equipmentfor excimer laser ultra-microfabrication[刊,中]/向世清,楼祺洪,丁爱臻,魏运荣。

微细加工技术与设备

TN305.7 99021338波前工程与光学超分辨=Wavefront engineeringand optical super resolution[刊,中]/韩安云(电子工业部第13研究所.河北,石家庄(050051))//半导体情报.—1998,35(3).—1-17对光学曝光技术的主要进展、波前工程概念和实现光学超分辨的基本途径等进行了论述。图28表4参50(赵桂云)TN305.7 99021339Φ3英寸GaAs 0.5 μm准分子激光光刻技术=Excimerlaser photoetching technique with Φ3 inGaAs 0.5 μm[刊,中]/刘玉贵,尚秀红,陈沐章。

光刻机系统中193nm薄膜的研究进展

193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。

制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

Y2002-63128 02128342001年第6届等离子体及处理感应损伤会议录=2001 6th international symposium on plasma-and process-induced damage[会,英]/American Vacuum Society &IEEE Electron Devices Society.—2001.—128P.(E)本会议录收集了于2001年5月13～15日在加州Monterey