期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件 被引量：13
1
作者 王阳元 张兴 +2 位作者 刘晓彦 康晋锋 黄如 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2008年第6期921-932,共12页
32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32nm及其以下技术节点... 32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32nm及其以下技术节点的候选技术.将对金属栅/高k栅介质等适用于32nm及其以下技术节点的研究进展加以论述. 展开更多
关键词 集成电路 纳米尺度 金属栅/高k栅介质 超薄体 SOI 器件 准弹道输运
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部