基于准浮栅技术的超低压运算放大器

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW.

基于准浮栅的低功耗差分运算放大器

分析了准浮栅晶体管PMOS的工作原理、电学特性和等效电路,设计了一种电路结构简单的共模反馈电路(CMFB),实现了一个低压低功耗的差分运算放大器。采用Chrt 0.35umCMOS工艺库,在Hspice下仿真结果表明:在电源电压为1.5V时,运放的增益为74.5dB,单位增益带宽为40.5MHz,相位裕度为650,静态功耗为1.2mW。

一种基于准浮栅技术的0.6V,2.4GHz CMOS混频器

讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice对混频器进行了仿真,仿真结果显示,该混频器在0.6V的单电源电压下,仍可以对2.4GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-21.8dB,三阶输入截止点的值为34.6dB。

一种基于准浮栅技术的12位D/A转换器

提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器。由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC)。所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积,解决了匹配精度随分辨率的增加而下降的问题。最后给出了该DAC的模拟仿真结果。

一种基于准浮栅技术的折叠差分结构及其应用

提出了一种基于准浮栅技术的新型折叠差分结构,其偏置电流源的电压降被折叠到输出电压摆幅中,且不受共模输入电压限制而达到较大范围,非常适于低压应用。基于此结构,实现了一种超低压运算放大器。仿真分析表明,该运算放大器能够实现轨到轨(rail-to-rail)的共模输入电压范围和输出电压摆幅,以及较高的共模抑制比。

基于准浮栅技术的超低压运放及滤波器设计

准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC 0.25μm 2P5M CMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3 dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.0 5 MHz.设计了0.8 V一阶CMOS开关电容高通滤波器,滤波器输入输出电压范围为0～0.8 V,截止频率为100 KHz.

一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计

介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。

基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MCMOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。

一种基于准浮栅技术的新型低压全差分运算放大器

讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅 PMOS 晶体管,设计实现了全差分运算放大器。在 1.3V 的单电源电压下,运算放大器的最大开环增益为 63.7dB,相位裕度为 63°,单位增益带宽为26.1MHz。利用本文设计的准浮栅全差分运放,设计实现了增益可调的放大器。

一种新型低功耗两级运算放大器的实现

针对目前低功耗设计的问题,讨论了一种有效的低成本的实现方式。介绍了准浮栅技术晶体管的工作原理,并运用此技术对传统的两级运算放大器进行改进。采用了Chartered 0.35umCMOS工艺来实现电路,在CADENCE Spectre的仿真结果表明,在一个工作电压为1.2V的情况下,最大开环增益可达到72.6db,相位裕度为54度,单位增益带宽为1.8MHZ,功耗仅为8.75uW,充分体现了这种技术的优越性。

超低压CMOS混频器比较设计及特性分析

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为 33.2 dB和 28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB。仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性。而且它们在频率较低时的性能更好。