正电子湮没率的计算

用有效位势方法计算了金属中正电子的平均寿命和温度的关系;;结果显示计算值与文献实验值相当吻合。这种方法还可用于计算其它固体材料中的正电子平均寿命和温度的关系。

非零温的正电子湮没率的计算

试用有效位势方法计算金属中非零温的总湮没率.所得结果与实验符合得较好。

双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变

基于准玻色方法,利用平均场理论解析求解了环境作用下双光子过程耦合腔阵列体系的哈密顿量,得到了体系序参量的解析表达式,并讨论了耗散对体系超(流-M)ott绝缘相变的影响.研究结果表明:双光子共振′情况下系统重铸相干的腔间耦合率临界值为ZJ/β=(ZJ/β)'_c=0.34;双光子相互作用过程比单光子过程具有更大的耗散率,系统维持长程相干状态的时间更短,而实现重铸相干的腔间耦合率的临界值更大.