电子型掺杂铜氧化物超导体准粒子激发谱研究

文中工作采用t-t-′t″-J模型研究了电子型掺杂铜氧化物超导体在超导序和反铁磁序共存情况下的准粒子激发谱,分别计算了在欠掺杂区、最佳掺杂区和过掺杂区的谱权重,计算结果与角分辨光电子谱实验结果符合较好。

原子核^(145)Tb的多准粒子激发态

利用能量为165 MeV的32S束流, 通过反应118Sn(32S, 1p4n)布居了145Tb的高自旋态. 基于标准在束核谱学实验测量结果, 首次建立了激发能高达 7.4 MeV的145Tb能级纲图. 145Tb的能级结构具有球形原子核的特征, 其高自旋态是由单粒子激发形成的. 根据邻近N = 80同中子素核结构的系统性, 采用一个11/2h价质子与偶偶核芯144Gd的弱耦合很好地解释了145Tb激发能在2 MeV以下的能级结构. 利用多准粒子壳模型组态解释了激发能在2 MeV以上的晕态和部分近晕态能级.

1+3准粒子-核心振动耦合模型对^(11)Be的应用

利用1+3准粒子-核心四极振动耦合模型研究了11Be核的能级结构,再现了其他模型在4 MeV处缺失的能级,理论结果与实验符合较好.计算结果表明,11Be的低激发谱一些能级是1+3准粒子运动与核心8Be的表面集体振动相耦合的结果.11Be的中子晕结构也得到合理的解释.

_(72)^(178)Hf和_(72)^(179)Hf稀土核高K低激发带

用处理推转壳模型的粒子数守恒(PNC)方法,分析了稀土变形核178,179Hf的基态带和低激发高K多准粒子带的运动学转动惯量J(1)随角频率ω的变化及其微观机制,特别是被拆散核子的Pauli堵塞效应的重要影响.本文分析和计算了72178Hf的2准粒子和4准粒子及72179Hf的3准粒子的高K低激发带.实验观测到的J(t)随ω的变化,在PNC计算中得到较好的重现.分析表明,高K多准粒子带的J(1)随ω的变化与基态带的不同,主要来自高N(j)闯入态的堵塞效应.

二维反铁磁材料的磁光研究进展

磁性材料独有的磁响应特性增强了传统电荷型器件的磁控能力,而超薄甚至可单原子层剥离的二维磁性材料在低维尺度下增强了电子自旋与电荷、晶格的相互作用并带来了非凡的物性。在自旋电子学中,反铁磁材料不仅展现了高频、低耗、抗串扰的优势,其与超导、磁相变等现象联系的关联电子态还疏通了人们利用光电子学探索低维磁性及其机理的道路。近年来,得益于额外的磁自由度、二维光电效应、反铁磁与铁磁/非磁材料的功能化异质结,激光驱动的二维反铁磁材料成为研究热点。综合稳态和瞬态的显微光学手段,回顾总结了二维反铁磁材料中的各类磁光效应和元激发准粒子研究,包括激光与物质相互作用中的载流子、激子、声子、磁子及其耦合态效应。随着可见光到太赫兹成像和其他配套技术的发展,二维反铁磁材料的检测和调控难题正逐步得到解决,高极化度和低阻尼输运的微纳自旋应用有望被植入到光伏、光信息处理领域并发挥重要作用。

原子核限制组态推转位能面

原子核推转壳模型自50年代被提出以来,经过60余年几个不同阶段的发展,已经成为定量描述原子核集体转动的最成功理论模型之一.其中最重要的两个发展是:考虑对关联作用和推转位能面计算(Total Routhian Surface).这样的计算能给出核形变随转动的演变信息和转动顺排现象.我们在推转位能面计算方面主要开展了如下工作:(1)发展了"对关联-形变-转动"自洽计算;(2)发展了"限制组态"位能面计算,成功实现了对任何激发组态的自洽计算;(3)发展了"限制组态"推转位能面计算,实现了对任何激发组态的转动自洽计算.

^(178)Hf长寿命同核异能态触发γ跃迁的理论探讨

近年来178Hfm2 31年的同核异能态被认为是用低能X射线触发使其释放储存能量的最合适候选者。为了探讨在178Hf中是否存在触发Kπ=16+同核异能态γ发射的门态,本工作首先用投影壳模型对178Hf的多准粒子态和集体激发态进行了研究,结果表明其它态位于距离16+同核异能态较远的地方。但当用包括γ自由度的组态限制(绝热阻塞)方法计算178Hf的多准粒子激发态时,结果显示有三个能级可能是16+同核异能态光退激的候选者,位能面计算的结果显示178Hf为轴对称硬核。